三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發，產品進入小批量(liang)生產及送樣階(jie)段。

據介紹，湖南三安依托精準熱(re)場控制的自主(zhu)PVT工藝(yi)(yi)，8英寸碳化硅(gui)襯底實現(xian)更低(di)成(cheng)本及更低(di)缺陷密(mi)度(du)，后續(xu)將持(chi)續(xu)提升良率，加快設(she)備調試與工藝(yi)(yi)優化，并持(chi)續(xu)推進(jin)湖南與重慶工廠量(liang)產(chan)進(jin)程。

據了解，2021年6月，總投資160億元的湖南三安半導體產業(ye)園項目一期正(zheng)式點亮投(tou)(tou)產；2022年7月(yue)，項目二期開(kai)建(jian)，總投(tou)(tou)資為80億元，達(da)產后配套年產能為36萬片。今年6月(yue)，三安光電宣布(bu)與意法(fa)半導體簽(qian)署協議，將在(zai)重慶建(jian)立8英寸碳化硅器(qi)件合(he)資制造(zao)廠。按照計(ji)劃，該合(he)資廠全部(bu)建(jian)設總額預計(ji)約(yue)達(da)32億美元（約(yue)合(he)227.8億人(ren)民幣(bi)），將于(yu)2025年第四季度投(tou)(tou)產，預計(ji)在(zai)2028年全面(mian)建(jian)成。

三(san)安光電是中(zhong)國第(di)一(yi)家、全球(qiu)第(di)三(san)家實(shi)現全產業鏈(lian)垂直整合的企業，產業鏈(lian)布局(ju)包括長(chang)晶—襯底制作(zuo)—外延生長(chang)—芯片制備—封裝。“碳(tan)化(hua)硅(gui)產業發展初期實(shi)現垂直整合，能夠很好應對不同場景的可靠性(xing)問題。”一(yi)名產業人士如是稱(cheng)。

三安光電碳化硅器件上車進展加速。據了解，該公司推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，產品具備高性能、高一致性和高可靠性等特點，并可根據客制化要求，提供多種靈活工藝方案。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆變器的輔助電源，1200V/75mΩ MOSFET則主要應用(yong)于(yu)(yu)新能源汽車的OBC，兩款產品均處于(yu)(yu)客戶(hu)端導入階段，將逐(zhu)步(bu)批量(liang)供貨；1200V /16mΩ車規級芯片(pian)已在戰略(lve)客戶(hu)處進行模(mo)塊驗證(zheng)，預計于(yu)(yu)2024年正式上車量(liang)產。

碳化硅行(xing)業三個重點環(huan)節（襯底、外延和器件）中(zhong)(zhong)，襯底在(zai)產業鏈中(zhong)(zhong)價值量占比最高(gao)，接近50%。碳化硅市(shi)場以6英(ying)寸(cun)(cun)為主流，而8英(ying)寸(cun)(cun)能夠生產的晶(jing)粒(li)數約(yue)為6英(ying)寸(cun)(cun)SiC晶(jing)圓(yuan)的1.8倍，晶(jing)圓(yuan)利用(yong)率和產能將會顯著提高(gao)，可將單位(wei)綜合(he)成本降低 50%。

有產業人士(shi)稱(cheng)，今(jin)年(nian)將會(hui)是8英寸(cun)碳化硅(gui)元年(nian)。今(jin)年(nian)以來，國際功率半(ban)導體(ti)巨頭Wolfspeeed、意法半(ban)導體(ti)等加速發(fa)展8英寸(cun)碳化硅(gui)。而國內(nei)市場來看，碳化硅(gui)設備、襯底及外延環節亦迎來突(tu)破性進展，并且(qie)多(duo)家行業龍(long)頭選(xuan)擇(ze)與國際功率半(ban)導體(ti)巨頭聯手(shou)。

除(chu)三安光電(dian)(dian)外，天(tian)科合達(da)去年年底發布(bu)8英(ying)寸導(dao)電(dian)(dian)型碳化(hua)硅襯底產品，并(bing)宣布(bu)將(jiang)于(yu)今(jin)年內實(shi)現(xian)8英(ying)寸導(dao)電(dian)(dian)型碳化(hua)硅襯底小(xiao)規模量產。今(jin)年5月，天(tian)科合達(da)與(yu)英(ying)飛凌簽署長期(qi)協(xie)議，天(tian)科合達(da)將(jiang)提供(gong)200毫(hao)米（8英(ying)寸）直徑(jing)碳化(hua)硅材料(liao)，幫助英(ying)飛凌向200毫(hao)米直徑(jing)晶圓(yuan)的過渡(du)。

天岳(yue)先進(jin)(jin)此前(qian)亦曾表示，公司(si)已經具備8英(ying)寸導電型碳(tan)化(hua)硅襯(chen)底的(de)量產能力(li)。在(zai)今年的(de)Semicon China展會(hui)上，天岳(yue)先進(jin)(jin)公布了(le)業內首(shou)創的(de)采用液相(xiang)法(fa)制(zhi)備出了(le)低缺陷的(de)8英(ying)寸晶(jing)體，通過熱場、溶(rong)液設計(ji)和工藝創新，突破了(le)碳(tan)化(hua)硅單晶(jing)高質量生長界(jie)面控(kong)(kong)制(zhi)和缺陷控(kong)(kong)制(zhi)難題(ti)。天岳(yue)先進(jin)(jin)在(zai)今年5月與英(ying)飛凌(ling)簽(qian)訂了(le)一(yi)項新的(de)晶(jing)圓和晶(jing)錠(ding)供應協議(yi)，供貨碳(tan)化(hua)硅6英(ying)寸襯(chen)底、合作制(zhi)備8英(ying)寸襯(chen)底。

晶(jing)(jing)(jing)盛機電此(ci)前(qian)宣布(bu)，公司已掌握行業領先的8英(ying)(ying)寸(cun)碳(tan)(tan)化硅(gui)襯底(di)工(gong)藝(yi)和技術，成功生長出8英(ying)(ying)寸(cun)N型碳(tan)(tan)化硅(gui)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)，解(jie)決了8英(ying)(ying)寸(cun)碳(tan)(tan)化硅(gui)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)生長過(guo)程(cheng)中溫(wen)場不均，晶(jing)(jing)(jing)體(ti)(ti)開裂(lie)、氣相原料分布(bu)等難(nan)點問題。晶(jing)(jing)(jing)盛機電此(ci)前(qian)亦宣布(bu)將會在(zai)今年內實(shi)現(xian)8英(ying)(ying)寸(cun)產品小批量量產。

科(ke)友半導體實(shi)現(xian)了6英寸(cun)(cun)(cun)SiC單晶(jing)襯(chen)底的規(gui)模(mo)生(sheng)(sheng)產和批量供貨，以及8英寸(cun)(cun)(cun)SiC單晶(jing)襯(chen)底的小批量生(sheng)(sheng)產及供貨。今年9月，科(ke)友首批自(zi)產8英寸(cun)(cun)(cun)SiC襯(chen)底，于科(ke)友產學研聚集(ji)區(qu)襯(chen)底加工車間成功下線。

在(zai)碳化(hua)硅(gui)設(she)備方面，晶盛(sheng)機電成功推出8寸(cun)單片式碳化(hua)硅(gui)外(wai)延(yan)(yan)設(she)備，可兼容6英(ying)寸(cun)/8英(ying)寸(cun)碳化(hua)硅(gui)外(wai)延(yan)(yan)，外(wai)延(yan)(yan)的厚度均(jun)勻性(xing)1.5%以內、摻雜均(jun)勻性(xing)4%以內，達到行業領先(xian)水平(ping)。

晶升股份(fen)已(yi)向(xiang)多家客戶交付8寸碳化(hua)硅長晶設(she)備。據公司(si)稱，部分客戶已(yi)經(jing)取(qu)得了(le)一定的(de)研發成(cheng)果，正在不斷優化(hua)工藝制程。晶升股份(fen)碳化(hua)硅單晶爐(lu)業(ye)(ye)務(wu)已(yi)覆蓋國(guo)內碳化(hua)硅產業(ye)(ye)鏈(lian)涉及襯底制造(zao)的(de)主要(yao)廠商，已(yi)實現對國(guo)內產銷規模較大、產業(ye)(ye)鏈(lian)布局較為完(wan)善的(de)IDM企業(ye)(ye)——三安(an)光電的(de)批量(liang)供應。