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湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸

湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸
湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸
湖南大學團隊:金剛石表面構建SiC層,突破復合材料散熱瓶頸

隨著電子(zi)器件(jian)不斷向(xiang)小(xiao)型化、高功率(lv)方向(xiang)發展,芯片和功率(lv)模塊的散熱問(wen)題日益突出。高導熱封裝材料(liao)成為電子(zi)產業的關鍵瓶(ping)頸(jing)之一。在(zai)眾多候(hou)選材料(liao)中,金剛(gang)石/鋁(diamond/Al...

日期 2025-08-28   

砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響

砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響
砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響
砂輪種類及冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料磨削質量的影響

引用本文:王奔,唐家杰,楚閎(hong)迪,張棋.砂輪種類及(ji)冷卻方式對SiCf/SiC陶瓷基復合材料(liao)磨削質量的影(ying)響[J].金(jin)剛(gang)石與磨料(liao)磨具工程,2025,45(2):163-175...

日期 2025-06-24   

SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹

SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹
SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹
SiC和GaN等半導體襯底的精密研磨拋光材料簡要介紹

通過改進先進半導(dao)(dao)體襯底的研(yan)磨拋光工藝以降低(di)成(cheng)本3M精(jing)密電(dian)子(zi)研(yan)磨材料用于研(yan)磨半導(dao)(dao)體、電(dian)子(zi)器件和(he)功率半導(dao)(dao)體的基板,如SiC晶片(pian)(pian)(碳化(hua)硅)、GaN(氮化(hua)鎵)和(he)Ga2O3晶片(pian)(pian)(...

日期 2024-11-22   
投資3.5億美元,泰國將建立首個碳化硅(SiC)晶圓工廠

投資3.5億美元,泰國將建立首個碳化硅(SiC)晶圓工廠

據(ju)泰(tai)國媒體近(jin)日報道,泰(tai)國計(ji)劃建立其首家碳化硅(SiC)晶圓工(gong)廠,預(yu)計(ji)將在2027年正式投(tou)入運(yun)營,標志(zhi)著泰(tai)國在半(ban)導...

日期 2024-10-29   

碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向
碳化硅SiC襯底拋光新方向

碳化硅(gui)作為一種新興(xing)的半(ban)導(dao)體材料,具(ju)有導(dao)熱率(lv)(lv)高、寬禁(jin)帶、高擊穿電場、高電子遷(qian)移率(lv)(lv)等特(te)性,使得其成為目前研(yan)發比較(jiao)集(ji)中的半(ban)導(dao)體材料之一。因為這些性能,碳化硅(gui)可(ke)以廣(guang)泛地應用于襯...

日期 2024-08-05   

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”
納米金剛石拋光液:SiC超精拋光的“白月光”

SiC作為(wei)(wei)襯底(di)材料,單(dan)晶SiC的表(biao)面粗糙度直(zhi)接(jie)影響其在(zai)電子器元件中工作的效果(guo)與性能。為(wei)(wei)確保單(dan)晶SiC在(zai)半導(dao)體、襯底(di)材料中的應用的穩定性,其表(biao)面粗糙度往往要(yao)達到納(na)米級或以...

日期 2024-06-27   

砂輪參數對SiC減薄工藝的影響

0引言SiC器件(jian)(jian)正(zheng)面工(gong)(gong)藝完成后,需要用到減薄工(gong)(gong)藝對襯底(di)進行(xing)減薄加(jia)工(gong)(gong),降低(di)(di)器件(jian)(jian)的(de)(de)導通電阻。尤其(qi)對于600-1200V的(de)(de)中低(di)(di)壓SiC器件(jian)(jian),襯底(di)電阻帶來的(de)(de)損耗(hao)影響了(le)SiC器件(jian)(jian)...

日期 2024-05-30   

SiC研磨行業深度調研

SiC研磨行業深度調研
SiC研磨行業深度調研
SiC研磨行業深度調研

Part01三代(dai)半導體市場1.半導體材(cai)料(liao)發展歷程硅基材(cai)料(liao)是目前電力電子(zi)領域應用最為廣(guang)泛的半導體材(cai)料(liao),也是目前主流邏輯(ji)芯片和功率器(qi)件的基礎。第一代(dai)元素半導體,主要(yao)包括以硅...

日期 2024-05-29   
SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今,碳化硅用于要(yao)求苛刻的(de)半(ban)導體應用,如火車、渦輪(lun)機、電動(dong)汽(qi)車和(he)智(zhi)能電網。由于其物理和(he)電氣(qi)特(te)性,基于SiC的(de)器(qi)件...

日期 2023-06-16   
DISCO推出新型自動研磨機,可加工8英寸的硅和SiC晶圓

DISCO推出新型自動研磨機,可加工8英寸的硅和SiC晶圓

近日,DISCO公(gong)司開(kai)發(fa)了DFG8541,這是(shi)一款全(quan)自(zi)動(dong)研(yan)磨(mo)機,可以(yi)加工(gong)最(zui)大(da)尺(chi)寸為(wei)8英寸的硅和(he)SiC晶圓。它已在...

日期 2023-01-13   

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN
這項拋光技術獲獎,可用于SiC和GaN

在“SEMICONJapan2022”(2022年(nian)12月14日至(zhi)16日,東(dong)京國際展示場)上(shang),首次(ci)舉辦(ban)了(le)“學(xue)術獎”,以表(biao)彰(zhang)有前(qian)途(tu)的大(da)學(xue)/研究(jiu)生院半導(dao)體研究(jiu)。最高獎頒發給大(da)...

日期 2023-01-09   
通化市碳化硅(SiC)超細粉體對外合作項目

通化市碳化硅(SiC)超細粉體對外合作項目

項(xiang)目簡介1.1項(xiang)目背景1.1.1產(chan)品(pin)簡介碳化硅超(chao)細粉(fen)體(ti)是一種平(ping)均粒(li)徑(jing)小于(yu)1μm(微米),SiC純(chun)度(du)大于(yu)99%,游...

日期 2020-01-20   
碳化硅(SiC)增利效應拉高 市場競逐日趨白熱化

碳化硅(SiC)增利效應拉高 市場競逐日趨白熱化

多(duo)家(jia)供應商(shang)正在(zai)推出下一波基(ji)于氮化鎵(GaN)和碳化硅(gui)(SiC)的功率(lv)半導(dao)體浪(lang)潮,從而為在(zai)市場上(shang)與(yu)傳統的硅(gui)基(ji)器件進...

日期 2019-11-08   

SiC功率半導體市場加速攀升 汽車產業成主要推手

根(gen)據市(shi)調(diao)(diao)機構YoleDeveloppement調(diao)(diao)查指出,全球碳化硅(gui)(SiC)功率半導(dao)體市(shi)場將(jiang)從2017年的(de)(de)3.02億(yi)美元,快速(su)成長至2023年的(de)(de)13.99億(yi)美元,201...

日期 2018-07-13   

我國半導體大直徑SiC單晶粉料和設備生產實現新突破

近日,在(zai)中國(guo)電子(zi)科技(ji)集團公司(si)第二研究所(suo)(簡稱中國(guo)電科二所(suo))生(sheng)(sheng)產大樓內(nei),100臺碳化(hua)硅(SiC)單(dan)晶(jing)生(sheng)(sheng)長設(she)(she)備正在(zai)高(gao)速運行,SiC單(dan)晶(jing)就(jiu)在(zai)這(zhe)100臺設(she)(she)備里“奮力”生(sheng)(sheng)長。中國(guo)...

日期 2018-06-08   

一種通過高速壓制制備高體積分數SiC顆粒增強Al基復合材料的方法

申(shen)請號:201710899306.9申(shen)請日(ri)(ri):2017.09.28國(guo)家/省市:中國(guo)安徽(34)公(gong)開號:107641727A公(gong)開日(ri)(ri):2018.01.30主分類號:C22C1...

日期 2018-02-06   

一種ZrB2?SiC陶瓷材料注漿成型燒結方法

申請(qing)號(hao):201720079346.4申請(qing)日:2017.01.21國(guo)家/省(sheng)市:中(zhong)國(guo)寧夏(64)主分類號(hao):B03C1/02(2006.01)授權(quan)公告(gao)號(hao):206474279U...

日期 2017-09-18   
一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復合涂層的制備方法

一種ZrC陶瓷材料表面ZrB2?SiC復合涂層的制備方法

申請號:201710293168.X申請日(ri):2017.04.28國(guo)家/省(sheng)市(shi):中國(guo)哈爾濱(bin)(93)公開號:10705...

日期 2017-08-31   

一種在鋯鋁碳/碳化硅復合材料表面制備ZrB2/SiC涂層的方法

申請號(hao):201710245487.3申請日:2017.04.14國家/省市:中國河(he)南(41)公(gong)開(kai)號(hao):107056303A公(gong)開(kai)日:2017.08.18主(zhu)分類號(hao):C04B3...

日期 2017-08-28   

鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工

鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工
鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工
鋁基碳化硼復合材料的SiC磨料輔助電化學加工

作者:M.Sankar,M.Sankar,K.Rajkumar,S.Santosh摘要:新型工業(ye)產業(ye)對(dui)輕量級材(cai)料的需求促使了鋁基(ji)復合材(cai)料的研(yan)發和制備(bei)。在諸多AMMCs中...

日期 2017-02-24   
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中國人造金剛石誕生60周年

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1963年,我國(guo)成功研制出第一顆(ke)人造金(jin)剛石(shi),經過幾代人的(de)(de)(de)拼搏奮斗,實現了從無到有、從小到大(da)、從弱到強的(de)(de)(de)華(hua)麗蝶變。人造金(jin)剛石(shi)及其制品在我國(guo)航空航天、國(guo)防軍(jun)工、機(ji)床機(ji)械(xie)等(deng)領域(yu)發揮著愈發重(zhong)要的(de)(de)(de)作用。不僅如此,隨著金(jin)剛石(shi)技術的(de)(de)(de)選代,金(jin)剛石(shi)民用領域(yu)—培育(yu)鉆石(shi)迎來(lai)了自己(ji)的(de)(de)(de)大(da)爆發,中國(guo)占據了世界培育(yu)鉆石(shi)產(chan)(chan)量的(de)(de)(de)80%以上,近(jin)幾年在國(guo)際上產(chan)(chan)生了巨大(da)影響(xiang)力。