近日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產大樓內，100臺碳化硅（SiC）單晶(jing)生長設(she)備正在高速運行，SiC單晶(jing)就在這(zhe)100臺設(she)備里(li)“奮力”生長。

　　中國電科二所第一事業部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。”

　　SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性, 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料，具有重要的應用價值和廣闊的應用前景。

　　中國電科二所第一事業部主任李斌說：“高純SiC粉料是SiC單晶生長的關鍵原材料，單晶生長爐是SiC單晶生長的核心設備，要想生長出高質量的SiC單晶，在具備高純SiC粉料和單晶生長爐條件下，還需要對生產工藝進行設計、調試和優化。”

　　據(ju)介紹，單(dan)(dan)晶生(sheng)長爐需要(yao)(yao)達(da)到高(gao)溫、高(gao)真空、高(gao)潔(jie)凈度的(de)要(yao)(yao)求，目前國內只(zhi)有(you)兩家(jia)能生(sheng)產(chan)單(dan)(dan)晶生(sheng)長爐，中國電(dian)科二(er)所是其中之(zhi)一。他(ta)們(men)突破(po)了(le)大直(zhi)徑SiC生(sheng)長的(de)溫場設(she)計，實現可(ke)用于150mm直(zhi)徑SiC單(dan)(dan)晶生(sheng)長爐高(gao)極(ji)限真空、低背景漏(lou)率生(sheng)長爐設(she)計制造(zao)及小批(pi)量生(sheng)產(chan)；他(ta)們(men)還突破(po)了(le)高(gao)純SiC粉料(liao)中的(de)雜(za)質控(kong)制技(ji)術(shu)、粒度控(kong)制技(ji)術(shu)、晶型控(kong)制技(ji)術(shu)等(deng)關鍵技(ji)術(shu)，實現了(le)99.9995%以上純度的(de)SiC粉料(liao)的(de)批(pi)量生(sheng)產(chan)。