Part 01 三代半導體市場

       1.半導體材料發展歷程

      硅基材料(liao)是(shi)目前電力電子(zi)領(ling)域(yu)(yu)應(ying)用(yong)最(zui)為(wei)廣(guang)泛的(de)半導(dao)(dao)體(ti)材料(liao)，也是(shi)目前主(zhu)流(liu)邏輯芯片(pian)和(he)功率(lv)器(qi)件(jian)的(de)基礎。第(di)一代(dai)元素半導(dao)(dao)體(ti)，主(zhu)要(yao)包(bao)括以硅（Si）、鍺（Ge）為(wei)代(dai)表的(de)單質半導(dao)(dao)體(ti)。第(di)二代(dai)化合物半導(dao)(dao)體(ti)，主(zhu)要(yao)指(zhi)二元/三元化合物半導(dao)(dao)體(ti)材料(liao)，如砷化鎵(jia)（GaAs）、磷化銦（InP），主(zhu)要(yao)用(yong)于制作(zuo)高(gao)速、高(gao)頻、大功率(lv)以及發(fa)光電子(zi)器(qi)件(jian)，是(shi)制作(zuo)高(gao)性能微波、毫(hao)米波器(qi)件(jian)及發(fa)光器(qi)件(jian)，應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)(yu)主(zhu)要(yao)包(bao)括衛星通(tong)信(xin)(xin)、移(yi)動通(tong)信(xin)(xin)、光通(tong)信(xin)(xin)、GPS導(dao)(dao)航等。

      第三代寬禁帶半導體，主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，優(you)點是(shi)禁帶寬度大（>2.2ev）、擊穿(chuan)電場高(gao)(gao)、熱(re)導率(lv)高(gao)(gao)、抗(kang)輻射(she)能力(li)強(qiang)、發光效率(lv)高(gao)(gao)、頻率(lv)高(gao)(gao)，可用于于高(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)頻、抗(kang)輻射(she)及(ji)大功率(lv)器件，也是(shi)目前國家大力(li)發展的新(xin)型半導體器件。

圖表1 第(di)一代到第(di)三代半導體發展(zhan)過程及對比

       2.SiC的優勢及器件應用

       SiC作為(wei)第(di)三代半導體材料具備諸(zhu)多顯著優勢。耐高(gao)(gao)壓：SiC材料可以通過更(geng)低的(de)(de)(de)(de)電(dian)阻率和(he)更(geng)薄(bo)的(de)(de)(de)(de)漂移層實現更(geng)高(gao)(gao)的(de)(de)(de)(de)擊穿(chuan)電(dian)壓，相(xiang)同的(de)(de)(de)(de)耐壓值下，SiC功率模塊導通電(dian)阻/尺(chi)寸僅為(wei)Si的(de)(de)(de)(de)1/10，功率損(sun)耗大幅(fu)減少。耐高(gao)(gao)頻(pin)：SiC材料不存在電(dian)流(liu)拖尾現象，能夠提高(gao)(gao)元件的(de)(de)(de)(de)開關速(su)度(du)，是Si開關速(su)度(du)的(de)(de)(de)(de)3-10倍(bei)(bei)。耐高(gao)(gao)溫(wen)：SiC材料具有禁帶(dai)寬(kuan)度(du)大（約(yue)Si的(de)(de)(de)(de)3倍(bei)(bei)）、熱導率高(gao)(gao)（約(yue)Si的(de)(de)(de)(de)3.3倍(bei)(bei)），熔點(dian)高(gao)(gao)(2830℃，約(yue)Si的(de)(de)(de)(de)兩倍(bei)(bei))的(de)(de)(de)(de)特(te)點(dian)，因此(ci)SiC器件在減少電(dian)流(liu)泄露的(de)(de)(de)(de)同時大幅(fu)提高(gao)(gao)工作溫(wen)度(du)。

      SiC按電阻性能分為導電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。導電型SiC功率器件主要是通過在導電型襯底上得到碳化硅外延層后進一步加工制成，主要用于電動汽車、光伏發(fa)電、軌道交通、數(shu)據中心(xin)、充(chong)電等基礎建設。半絕(jue)緣型SiC基射頻器件是通過在半絕(jue)緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層后(hou)進一步制成，主要用于(yu)5G通信、車載(zai)通信、國防應用、數(shu)據傳輸、航空(kong)航天。

圖表2 SiC的主要器件形式及應用

       3.SiC市場規模

      據Yole預(yu)測，全(quan)球SiC功率(lv)半導(dao)體市場(chang)(chang)將從2020年的8.88億美元(yuan)增長到(dao)2030年的175.77億美元(yuan)，復合(he)年均增長率(lv)高達(da)34.79%。目前Si仍(reng)是(shi)主(zhu)流(liu)半導(dao)體材料(liao)，但第三代半導(dao)體滲(shen)(shen)透(tou)率(lv)仍(reng)將逐(zhu)(zhu)年攀升。據Yole預(yu)測，Si材料(liao)器件未來(lai)仍(reng)將占(zhan)據半導(dao)體市場(chang)(chang)的主(zhu)導(dao)地位，預(yu)計未來(lai)市場(chang)(chang)滲(shen)(shen)透(tou)率(lv)仍(reng)超過80%。第三代半導(dao)體材料(liao)滲(shen)(shen)透(tou)率(lv)將會逐(zhu)(zhu)年攀升，整體滲(shen)(shen)透(tou)率(lv)預(yu)計于2024年超過10%，其中(zhong)SiC的市場(chang)(chang)滲(shen)(shen)透(tou)率(lv)有(you)望接近10%，GaN滲(shen)(shen)透(tou)率(lv)將達(da)到(dao)3%。

      據(ju)浙商證券測算，2025年SiC襯(chen)底在(zai)新(xin)能源車市場的需求(qiu)量達339萬片，市場空(kong)間(jian)為129億元(yuan)，SiC器(qi)(qi)件的市場空(kong)間(jian)達429億元(yuan)。預計2021-2025年，SiC器(qi)(qi)件在(zai)光伏應用領域市場空(kong)間(jian)由23億元(yuan)增(zeng)長至92億元(yuan)，到2025年SiC襯(chen)底需求(qiu)量超過(guo)72萬片。

      受新能(neng)源汽車行業(ye)龐大的需求驅動，以及光伏風電等(deng)(deng)領(ling)域需求提升，SiC半(ban)導體的市(shi)場具備較強(qiang)的確定性。但(dan)由于較高的技術壁壘，SiC大規(gui)模產業(ye)化仍具有較高的難度，有效(xiao)產能(neng)低于報道產能(neng)。據華(hua)泰證券、浙商證券等(deng)(deng)預計(ji)，目前全(quan)球SiC襯底有效(xiao)年(nian)產能(neng)不足，SiC襯底供給將于2026年(nian)達到(dao)飽和(he)。

      在當前有效(xiao)供給不足、降(jiang)本需求(qiu)強烈(lie)的(de)(de)情況下(xia)，SiC產業鏈的(de)(de)材(cai)料創新、國產替代(dai)出現了窗口期。在產業鏈上游材(cai)料端提前布局，建(jian)立新的(de)(de)技術(shu)壁壘，成(cheng)為(wei)了面對遠期市場供大于求(qiu)、利潤擠壓的(de)(de)可(ke)行路徑。

      當前制(zhi)約(yue)SiC器件大(da)規模商(shang)業化(hua)的主要(yao)因素是高成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)，SiC襯(chen)底(di)的降(jiang)本(ben)(ben)增(zeng)效成(cheng)(cheng)為(wei)關鍵，大(da)尺寸(cun)(cun)襯(chen)底(di)由于成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)優(you)勢(shi)比較(jiao)明顯，成(cheng)(cheng)為(wei)發展趨勢(shi)。根據(ju)天科合達測(ce)算，從4英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)提(ti)升(sheng)到(dao)6英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)，單位(wei)成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)預計能(neng)(neng)夠降(jiang)50%；從6英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)到(dao)8英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)，成(cheng)(cheng)本(ben)(ben)能(neng)(neng)夠在這個基礎上再降(jiang)低35%。根據(ju)Wolfsppeed，8英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)晶圓相比6英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)可切出(chu)近2倍的裸芯(xin)數量(liang)。大(da)尺寸(cun)(cun)襯(chen)底(di)的邊(bian)緣(yuan)浪費(fei)更(geng)低，有效利(li)用率更(geng)高，國內外各(ge)大(da)廠商(shang)均積極布局8英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)SiC襯(chen)底(di)，量(liang)產(chan)進程有望(wang)加速(su)。據(ju)德邦(bang)證券(quan)總結，SEMICON China2024展會中(zhong)(zhong)，國內SiC襯(chen)底(di)/外延廠商(shang)均有8英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)產(chan)品(pin)展出(chu)，其(qi)中(zhong)(zhong)襯(chen)底(di)和設備廠商(shang)的8英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)產(chan)品(pin)能(neng)(neng)力快速(su)提(ti)升(sheng)；國內廠商(shang)中(zhong)(zhong)，天岳(yue)先(xian)進、天域半導體已具備一定的8英(ying)(ying)(ying)寸(cun)(cun)量(liang)產(chan)能(neng)(neng)力。

       Part 02

       SiC器件生產與成本分析

       1.SiC器件生產流程

     SiC器件的生產流程主要為：首先，SiC粉末通過長晶形成晶碇；其次，經過切片、薄片、拋光得到SiC襯(chen)底；然后，襯(chen)底經過(guo)外延(yan)生長得到外延(yan)片；最后，外延(yan)片經過(guo)光刻、刻蝕、離子注入、沉積(ji)等步(bu)驟制造(zao)成器件(jian)。

圖(tu)表3 SiC器件制作(zuo)工藝流程

     襯底(di)是由(you)(you)半導(dao)體(ti)單晶材料制(zhi)造而(er)成的(de)晶圓(yuan)片(pian)，可(ke)以直接進入晶圓(yuan)制(zhi)造環節生(sheng)產半導(dao)體(ti)器件(jian)，也可(ke)以進行(xing)外(wai)延(yan)工藝加(jia)工生(sheng)產外(wai)延(yan)片(pian)。外(wai)延(yan)是指在經過(guo)(guo)切、磨、拋(pao)等仔(zi)細加(jia)工的(de)單晶襯底(di)上生(sheng)長一層新(xin)單晶的(de)過(guo)(guo)程。由(you)(you)于新(xin)生(sheng)單晶層按(an)襯底(di)晶相延(yan)伸生(sheng)長，從而(er)被稱(cheng)之為外(wai)延(yan)層；而(er)長了外(wai)延(yan)層的(de)襯底(di)稱(cheng)為外(wai)延(yan)片(pian)。

     SiC襯底材料是SiC芯片的核心。襯底的生產流程為：經過單晶生長獲得SiC晶碇后；緊接著制備SiC襯底需要歷經磨平、滾圓、切割、研磨（減(jian)薄)；機(ji)(ji)械(xie)拋光(guang)、化學機(ji)(ji)械(xie)拋光(guang)；以及清洗、檢測等工序。

圖表4 SiC襯底生(sheng)產(chan)流程

     晶(jing)體(ti)生長主要(yao)有物理氣(qi)相傳輸法(fa)（PVT）、高(gao)溫化學(xue)氣(qi)相沉(chen)積法(fa)（HT-CVD）和液(ye)相外(wai)延(yan)（LPE）三種方法(fa)。PVT法(fa)是現階段商業化生長SiC襯(chen)底的(de)主流方法(fa)。SiC晶(jing)體(ti)的(de)生長溫度在2000°C以上，對溫度和壓力的(de)控制要(yao)求高(gao)，目前存在錯位(wei)密度、晶(jing)體(ti)缺陷較高(gao)的(de)問題。

     襯底切割將晶錠切割為晶片用來進行后續加工，切割方式影響到碳化硅襯底片后續的研磨等工藝工序的配合。晶錠切割以砂漿多線切割和金剛石線鋸切割(ge)為主(zhu)，現有的SiC晶(jing)圓大多(duo)使(shi)用金剛線切割(ge)，但SiC硬度高(gao)、脆性高(gao)，存在晶(jing)片(pian)的良率較低(di)、切割(ge)線的耗(hao)材成本較高(gao)等(deng)問題。同時(shi)，8英寸晶(jing)圓的切割(ge)時(shi)間明顯(xian)長于6英寸晶(jing)圓，切割(ge)線卡住(zhu)的風(feng)險也更(geng)高(gao)，從而導致良率下降。

     襯(chen)底(di)切(qie)(qie)割(ge)(ge)技術(shu)發展(zhan)趨勢為激光(guang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)，在晶(jing)體(ti)內部(bu)形成改性(xing)層從碳化硅晶(jing)體(ti)上剝(bo)離出(chu)晶(jing)片(pian)，屬于非(fei)接觸無材料損失加工(gong)，無機械應力損傷(shang)，所(suo)以(yi)損耗更低、良率更高、加工(gong)方式靈活、加工(gong)的(de)(de)SiC面型(xing)更好。國外DISCO、英(ying)飛凌等廠(chang)商的(de)(de)激光(guang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)設(she)備已投入(ru)(ru)8英(ying)寸SiC的(de)(de)生產，國內廠(chang)商大族激的(de)(de)激光(guang)切(qie)(qie)割(ge)(ge)設(she)備目前進入(ru)(ru)產品驗證階段，北京中電科已實(shi)現6英(ying)寸Si單(dan)晶(jing)片(pian)的(de)(de)激光(guang)剝(bo)離。

     SiC襯底打磨加(jia)工包括研磨（減(jian)薄(bo)）、拋光(guang)兩(liang)個環節。SiC襯底的(de)平坦化工藝主要有研磨和減(jian)薄(bo)兩(liang)種工藝路線。

     研磨分為粗磨和精磨環節。主流的粗磨工藝方案為鑄鐵盤配合單晶金剛石研磨液。多晶金剛石微粉和類多晶金剛石微粉被開發后，碳化硅精磨工藝方案是聚氨酯墊配合類多晶精磨液。新的工藝方案為蜂窩研磨墊配合團聚磨料。

     減(jian)(jian)(jian)薄(bo)分(fen)為(wei)(wei)粗磨減(jian)(jian)(jian)薄(bo)和(he)精(jing)(jing)磨減(jian)(jian)(jian)薄(bo)兩(liang)個環節(jie)(jie)，采用(yong)減(jian)(jian)(jian)薄(bo)機加(jia)(jia)磨輪(lun)(lun)的(de)(de)方案，自動化程(cheng)度高(gao)，有望(wang)代替研磨的(de)(de)技術路線。減(jian)(jian)(jian)薄(bo)工(gong)藝(yi)方案的(de)(de)工(gong)藝(yi)精(jing)(jing)簡(jian)，高(gao)精(jing)(jing)度磨輪(lun)(lun)的(de)(de)減(jian)(jian)(jian)薄(bo)可(ke)以為(wei)(wei)拋(pao)光環節(jie)(jie)省去單面機械拋(pao)光（DMP）；采用(yong)磨輪(lun)(lun)加(jia)(jia)工(gong)速度快，加(jia)(jia)工(gong)面型(xing)控制能(neng)力強，適合大尺寸晶(jing)圓加(jia)(jia)工(gong)。同時，相(xiang)比(bi)于研磨的(de)(de)雙面加(jia)(jia)工(gong)，減(jian)(jian)(jian)薄(bo)為(wei)(wei)單面加(jia)(jia)工(gong)工(gong)藝(yi)，是外(wai)延制造和(he)晶(jing)圓封裝時，對晶(jing)圓的(de)(de)背面進(jin)行(xing)研磨的(de)(de)關(guan)鍵工(gong)藝(yi)。減(jian)(jian)(jian)薄(bo)工(gong)藝(yi)推廣(guang)的(de)(de)難(nan)點在于磨輪(lun)(lun)的(de)(de)研發難(nan)度大、制造技術要求高(gao)。磨輪(lun)(lun)國產化程(cheng)度非(fei)常低，作(zuo)為(wei)(wei)耗材成本較高(gao)，目(mu)前磨輪(lun)(lun)市場(chang)主要被DISCO占據。

     拋光(guang)(guang)用于SiC襯底的(de)光(guang)(guang)潔化(hua)，消除表面劃痕、降(jiang)低粗糙度和消除加工應力，分為(wei)粗拋和精拋兩個(ge)環節，碳化(hua)硅(gui)粗拋多(duo)采用氧(yang)化(hua)鋁拋光(guang)(guang)液，精拋多(duo)采用二氧(yang)化(hua)硅(gui)拋光(guang)(guang)液。

      2.SiC器件成本分析

     SiC器件價格(ge)高企的主要原因是SiC單晶(jing)生(sheng)長緩慢、襯底制(zhi)造困難(nan)、良(liang)品率低等。

    在SiC產業(ye)鏈中，襯(chen)底(di)的(de)(de)價值占比最高。一般(ban)來說，上游材料成本(ben)(ben)占到(dao)(dao)器(qi)件(jian)成品的(de)(de)75%，其中襯(chen)底(di)約占50%，外延約25%。在一個典型的(de)(de)SiC MOSFET中，襯(chen)底(di)的(de)(de)制造(zao)成本(ben)(ben)能占到(dao)(dao)器(qi)件(jian)總(zong)(zong)成本(ben)(ben)的(de)(de)35%以(yi)上而在6英寸SiC襯(chen)底(di)制造(zao)過程中，包含良率損失的(de)(de)襯(chen)底(di)成本(ben)(ben)占到(dao)(dao)總(zong)(zong)成本(ben)(ben)的(de)(de)70%以(yi)上。

圖表5 SiC芯片成(cheng)本拆分(fen)

       SiC襯(chen)底(di)(di)單價較(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)，但售(shou)價隨著出貨(huo)量(liang)(liang)提升(sheng)而逐(zhu)步下(xia)行(xing)。2021年，天(tian)岳先進的(de)平均銷售(shou)價格為6767元/片，較(jiao)(jiao)(jiao)2020年同比下(xia)降25%。考慮到目(mu)前國產6英寸(cun)襯(chen)底(di)(di)還未(wei)大(da)(da)批量(liang)(liang)生產，所以預(yu)計(ji)(ji)還會有(you)降價空間(jian)。另一方面(mian)，半絕緣型SiC襯(chen)底(di)(di)由于市場供 應商較(jiao)(jiao)(jiao)少，且下(xia)游有(you)部分軍(jun)事裝備應用(yong)，所以目(mu)前售(shou)價較(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)。當前SiC襯(chen)底(di)(di)售(shou)價較(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)是良率水平低(di)、晶(jing)圓尺寸(cun)小、自動化程度低(di)等多(duo)因素導致的(de)。隨著各(ge)廠商提升(sheng)工藝、往更大(da)(da)尺寸(cun)SiC晶(jing)圓發展，預(yu)計(ji)(ji)SiC襯(chen)底(di)(di)售(shou)價將(jiang)逐(zhu)步下(xia)行(xing)。

      SiC器件降(jiang)本(ben)(ben)主(zhu)要通(tong)過三大途徑：降(jiang)低襯(chen)底成(cheng)本(ben)(ben)，主(zhu)要通(tong)過8寸(cun)(cun)向12寸(cun)(cun)升級(ji)、持續優化熱場(chang)；改進設計(ji)、器件制造(zao)、封裝(zhuang)等生產(chan)技術；設計(ji)更小(xiao)尺寸(cun)(cun)芯(xin)片，使得(de)單位晶圓產(chan)出更高。根據PGC統計(ji)，假設以2021年(nian)(nian)6寸(cun)(cun)SiC MOSFET 1200V/100A的成(cheng)本(ben)(ben)為1個單位，2025年(nian)(nian)成(cheng)本(ben)(ben)有望(wang)降(jiang)至(zhi)0.8以下，8寸(cun)(cun)的成(cheng)本(ben)(ben)有望(wang)降(jiang)至(zhi)0.68附(fu)近。2021年(nian)(nian)SiC MOSFET為Si器件成(cheng)本(ben)(ben)的3倍(bei)，到2025年(nian)(nian)有望(wang)降(jiang)至(zhi)2.5倍(bei)附(fu)近。

圖表6 2022-2030年SiC成(cheng)本下降預測

       3.SiC生產設備分析

      從設備上分析生產成本(ben)，單(dan)(dan)晶(jing)爐為SiC生產的核心(xin)設備。根(gen)據浙商證券測(ce)算，單(dan)(dan)晶(jing)爐在設備投資(zi)額價值量占比約(yue)25%，CMP拋光機和(he)研磨機分別占設備投資(zi)額25%和(he)10%。

       晶(jing)體生(sheng)(sheng)長爐(lu)國內(nei)(nei)(nei)主要廠商包括晶(jing)盛機電(dian)、北方(fang)華(hua)創(chuang)等。目前部分廠商在6-8英寸已實現(xian)國產替(ti)代，但12英寸與(yu)國際水平(ping)仍存在差距，未來(lai)需(xu)伴隨國內(nei)(nei)(nei)滬硅(gui)、中環、金瑞(rui)泓等國內(nei)(nei)(nei)半導體硅(gui)片(pian)廠的(de)成(cheng)長、逐(zhu)步突破(po)。晶(jing)體爐(lu)與(yu)其(qi)他設(she)備(bei)不同，其(qi)不能通過技術改造來(lai)完(wan)成(cheng)產品(pin)的(de)更新換代，一旦硅(gui)片(pian)尺寸發生(sheng)(sheng)顯著(zhu)變化，晶(jing)體爐(lu)必須完(wan)全更新換代。隨著(zhu)大尺寸光伏硅(gui)片(pian)逐(zhu)漸成(cheng)為主流，國產晶(jing)體生(sheng)(sheng)長設(she)備(bei)企業(ye)會顯著(zhu)受(shou)益，有望進一步降低設(she)備(bei)成(cheng)本。

      CMP設備(bei)廣泛應用于半導體產業鏈中(zhong)硅(gui)片(pian)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)(zao)(zao)(zao)(zao)、集成電(dian)路(lu)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)(zao)(zao)(zao)(zao)、封裝測 試環(huan)(huan)節(jie)(jie)，其(qi)中(zhong)最主要的(de)是集成電(dian)路(lu)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)(zao)(zao)(zao)(zao)環(huan)(huan)節(jie)(jie)。在硅(gui)片(pian)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)(zao)(zao)(zao)(zao)環(huan)(huan)節(jie)(jie)，在完成拉晶、硅(gui)錠加工(gong)、切片(pian)成型環(huan)(huan)節(jie)(jie)后；在拋(pao)光(guang)環(huan)(huan)節(jie)(jie)為最終得到平整(zheng)潔凈的(de)拋(pao)光(guang)片(pian)需要通過CMP設備(bei)及工(gong)藝來實現。在集成電(dian)路(lu)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)(zao)(zao)(zao)(zao)環(huan)(huan)節(jie)(jie)，芯片(pian)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)(zao)(zao)(zao)(zao)過程可(ke)分為薄膜淀積、CMP、光(guang)刻、刻蝕(shi)、離子注入等工(gong)藝環(huan)(huan)節(jie)(jie)。

      晶圓(yuan)減薄機(ji)(ji)是半導體(ti)制(zhi)造的重要設備之一，用于(yu)實(shi)現晶圓(yuan)的切割與研磨(mo)(mo)，一般由粗磨(mo)(mo)系統(tong)、精磨(mo)(mo)系統(tong)、承(cheng)片臺(tai)、機(ji)(ji)械手、料籃、定位盤、回轉(zhuan)工作臺(tai)等部分組成。

      2021年全球(qiu)半導體晶圓劃片切割、減薄(bo)設(she)(she)備(bei)市(shi)(shi)場(chang)(chang)合計約(yue)(yue)26億美(mei)元(yuan)(yuan)。根據SEMI數據，2021年全球(qiu)封(feng)(feng)裝設(she)(she)備(bei)市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模約(yue)(yue)70億美(mei)元(yuan)(yuan)。劃片機在封(feng)(feng)裝設(she)(she)備(bei)市(shi)(shi)場(chang)(chang)份額約(yue)(yue)為(wei)28%，2021年全球(qiu)劃片機市(shi)(shi)場(chang)(chang)份額約(yue)(yue)20億美(mei)元(yuan)(yuan)。根Marketresearch數據，2021年全球(qiu)晶圓減薄(bo)設(she)(she)備(bei)市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模約(yue)(yue)6.14億美(mei)元(yuan)(yuan)。

      據QYR的(de)統計及預測，全球減(jian)薄機市(shi)場規(gui)模(mo)呈現(xian)穩步擴(kuo)張的(de)態勢，2022年全球市(shi)場規(gui)模(mo)約(yue)8.2億美元，2018-2022年年復合增長率(lv)CAGR約(yue)為18.7%，預計未來將(jiang)持續(xu)保(bao)持平穩增長的(de)態勢，到2029年市(shi)場規(gui)模(mo)將(jiang)接近13.2億美元，未來六(liu)年CAGR為6.5%。

      劃片刀和減薄砂輪是半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)晶(jing)圓(yuan)加(jia)工所(suo)用的(de)(de)主(zhu)要(yao)金剛(gang)(gang)石(shi)工具。根(gen)據(ju)《半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)加(jia)工用金剛(gang)(gang)石(shi)工具現(xian)狀(zhuang)》，國(guo)內(nei)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)用金剛(gang)(gang)石(shi)工具市(shi)(shi)場(chang)(chang)中(zhong)減(jian)薄砂輪(lun)、劃(hua)片(pian)刀分(fen)別占比26.5%、55.0%。國(guo)內(nei)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)金剛(gang)(gang)石(shi)工具市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)(mo)約30億(yi)元(yuan)。根(gen)據(ju)上海新陽公告，2018年(nian)(nian)國(guo)內(nei)晶(jing)圓(yuan)劃(hua)片(pian)刀年(nian)(nian)需(xu)求量(liang)為(wei)600-800萬片(pian)。根(gen)據(ju)IC insights及 Knometa Research，2018-2021年(nian)(nian)中(zhong)國(guo)大(da)陸晶(jing)圓(yuan)產能復合(he)增(zeng)速約9.6%。根(gen)據(ju)華(hua)創(chuang)證(zheng)券(quan)測算，假設晶(jing)圓(yuan)劃(hua)片(pian)刀需(xu)求量(liang)復合(he)增(zeng)速與同期中(zhong)國(guo)大(da)陸的(de)(de)晶(jing)圓(yuan)產能復合(he)增(zeng)速保持一致，得到2021年(nian)(nian)國(guo)內(nei)晶(jing)圓(yuan)劃(hua)片(pian)刀的(de)(de)市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)(mo)約為(wei)16億(yi)元(yuan)；2021年(nian)(nian)國(guo)內(nei)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)用金剛(gang)(gang)石(shi)工具的(de)(de)市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)(mo)約29.3億(yi)元(yuan)，減(jian)薄砂輪(lun)的(de)(de)市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)(mo)約為(wei)7.8億(yi)元(yuan)。此(ci)外，根(gen)據(ju)QYResearch數據(ju)，2020年(nian)(nian)全球CMP拋光墊修整器的(de)(de)市(shi)(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)(mo)約15億(yi)元(yuan)，預計(ji)2026年(nian)(nian)將達到18億(yi)元(yuan)，年(nian)(nian)復合(he)增(zeng)長率3.1%。

      CMP設(she)備(bei)市場(chang)行業高(gao)度壟斷，海外龍頭半導體(ti)設(she)備(bei)企業起步較早，美國(guo)應用(yong)材料(liao)和日本(ben)荏原近(jin)乎壟斷全(quan)球CMP設(she)備(bei)市場(chang)。據華(hua)經產業研究院引(yin)用(yong)的Gartner數據，2020年美國(guo)應用(yong)材料(liao)和日本(ben)荏原合計擁有全(quan)球CMP設(she)備(bei)超過90%的市場(chang)份額。

圖(tu)表7 半導體硅片設(she)備價值(zhi)量(liang)占比

       4.SiC耗材成本分析

      我國(guo)(guo)(guo)(guo)半導體制造材料的(de)(de)整體技術水平與國(guo)(guo)(guo)(guo)外差距(ju)較大，存在巨大的(de)(de)國(guo)(guo)(guo)(guo)產替代空間。設(she)根據國(guo)(guo)(guo)(guo)盛證(zheng)券測算：假設(she)2021年中(zhong)國(guo)(guo)(guo)(guo)電子半導體材料營(ying)收規(gui)模150億人民幣，在全球市場中(zhong)占有率僅4%；在中(zhong)國(guo)(guo)(guo)(guo)所需(xu)的(de)(de)產值(zhi)約(yue)119億美元的(de)(de)市場需(xu)求中(zhong)，也僅占19%。      

      根據SEMI統(tong)計，2021年(nian)全球半導體(ti)材料(liao)市場(chang)規(gui)模(mo)同比(bi)增長15.9%達(da)到643億(yi)美(mei)金新高(gao)。其中(zhong)(zhong)晶圓制造(zao)材料(liao)和(he)封裝(zhuang)材料(liao)市場(chang)規(gui)模(mo)分別為404億(yi)美(mei)金和(he)239億(yi)美(mei)金。晶圓制造(zao)環(huan)(huan)節(jie)(jie)中(zhong)(zhong)的(de)硅(gui)片(pian)、化(hua)學品、CMP和(he)光(guang)掩膜環(huan)(huan)節(jie)(jie)是增速最快(kuai)的(de)幾大領域(yu)，而硅(gui)片(pian)也(ye)是晶圓制造(zao)中(zhong)(zhong)成本占比(bi)最高(gao)的(de)環(huan)(huan)節(jie)(jie)，市場(chang)規(gui)模(mo)超(chao)過130億(yi)美(mei)金。

圖(tu)表8 半(ban)導體(ti)原材料分布情(qing)況

      對于SiC的生產制造，切割、磨削、拋光的(de)耗材(cai)(cai)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)是生產成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)的(de)重要部(bu)分。根(gen)據安芯(xin)投(tou)資統計，切(qie)(qie)割環節(jie)的(de)耗材(cai)(cai)為金剛(gang)(gang)石砂漿，約70%的(de)襯底廠(chang)家的(de)切(qie)(qie)割耗材(cai)(cai)為采購(gou)金剛(gang)(gang)石微粉后自(zi)行(xing)配置，而剩下的(de)30%廠(chang)家則為直接采購(gou)。根(gen)據天科合達報告(gao)，切(qie)(qie)割用(yong)金剛(gang)(gang)石粉的(de)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)占SiC原材(cai)(cai)料(liao)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)的(de)7.53%；研磨用(yong)的(de)研磨液的(de)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)占SiC原材(cai)(cai)料(liao)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)的(de)15.5%；拋光材(cai)(cai)料(liao)約占SiC原材(cai)(cai)料(liao)成(cheng)(cheng)(cheng)本(ben)(ben)(ben)的(de)7%。

      Part 03研磨減薄機與拋光設備市場競對分析

     全(quan)球主要(yao)減薄機生產商包(bao)括日(ri)本DISCO、日(ri)本TOKYO SEIMITSU、日(ri)本KOYO SEIKO、德國G&N等，全(quan)球前(qian)三廠商占有85%的市場份額。其中日(ri)本DISCO與TOKYO SEIMITSU 2022年合計市占比超65%，市場集中度較高。

      根據《半(ban)(ban)導(dao)體加工(gong)(gong)用金剛石工(gong)(gong)具(ju)現狀》，中國(guo)(guo)約90%的半(ban)(ban)導(dao)體加工(gong)(gong)用劃片刀和減薄砂輪來自進口，高端半(ban)(ban)導(dao)體加工(gong)(gong)企業所用金剛石工(gong)(gong)具(ju)基(ji)本(ben)被國(guo)(guo)外(wai)產品壟斷(duan)。國(guo)(guo)外(wai)半(ban)(ban)導(dao)體用金剛石工(gong)(gong)具(ju)廠商主要為日本(ben)DISCO、日本(ben)旭(xu)金剛石、東京精(jing)密(mi)、韓國(guo)(guo)二和(EHWA)及美國(guo)(guo)UKAM等。

       1.研磨減薄設備

       (1)日本迪思科株式會社 DISCO Corporation

       DISCO成立于1937年，是專注于“切(qie)、磨(mo)(mo)、拋(pao)”技術(shu)的全球知名半(ban)導體設備(bei)廠商。產品主要為(wei)半(ban)導體設備(bei)切(qie)割機、研(yan)磨(mo)(mo)機、拋(pao)光機及其他半(ban)導體加工后道切(qie)割和研(yan)磨(mo)(mo)設備(bei)；精(jing)密加工工具切(qie)割刀片，研(yan)削、拋(pao)光磨(mo)(mo)輪(lun)等。其中耗材業(ye)務（精(jing)密加工工具和維修業(ye)務）比重(zhong)的不斷提(ti)升，平衡了公司(si)的業(ye)績(ji)波動。

圖表(biao)9 半導體(ti)原材料分布情況(kuang)   

      DISCO在(zai)晶圓(yuan)劃片刀和減薄砂輪(lun)市場(chang)具有絕對份(fen)額。2021財年(nian)DISCO來自(zi)中(zhong)國(guo)大(da)陸(lu)地區的(de)收(shou)入為(wei)49億元(yuan)(yuan)，根據(ju)國(guo)創證(zheng)券測算，假設其中(zhong)耗材的(de)占比(bi)與公司總(zong)體(ti)業務中(zhong)耗材的(de)占比(bi)23%一(yi)致，則2021年(nian)DISCO在(zai)中(zhong)國(guo)大(da)陸(lu)的(de)劃片刀和減薄砂輪(lun)營收(shou)約11億元(yuan)(yuan)，在(zai)中(zhong)國(guo)大(da)陸(lu)23.8億元(yuan)(yuan)的(de)市場(chang)中(zhong)占比(bi)47%。

      (2)江蘇京創先進電子科技有限公司

      京(jing)創(chuang)先進成立于2013年，是一家專業(ye)從事半導體精密切(qie)、磨、拋設(she)備研發、生產、銷售及服務(wu)的高新技術企業(ye)，2023年獲得B+輪融資。

      京創(chuang)先進已成(cheng)功實現12英寸全自動(dong)精(jing)(jing)密劃(hua)片(pian)機產業(ye)化(hua)的自主創(chuang)新，并(bing)在劃(hua)切(qie)設(she)(she)(she)備主航道(dao)提供從(cong)6-12英寸的半自動(dong)到全自動(dong)的各類劃(hua)片(pian)設(she)(she)(she)備、滿(man)足半導(dao)體(ti)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)、GPP/LED氮化(hua)鎵(jia)等芯(xin)片(pian)、分(fen)立(li)器件、LED封裝、光通訊器件、聲表器件、MEMS等芯(xin)片(pian)的精(jing)(jing)密劃(hua)切(qie)需(xu)求(qiu)之外，產品(pin)線已拓展至JIG SAW設(she)(she)(she)備、減(jian)薄設(she)(she)(she)備等多(duo)個半導(dao)體(ti)專業(ye)設(she)(she)(she)備領域(yu)。

      (3)北京中電科電子裝備有限公司

      北京中電(dian)科(ke)主要(yao)產(chan)品(pin)(pin)有減(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)薄(bo)(bo)、劃切(qie)設備(bei)。減(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)薄(bo)(bo)設備(bei)2022年(nian)實(shi)現(xian)(xian)合同額1.2億(yi)元，2023年(nian)全(quan)系列產(chan)品(pin)(pin)產(chan)值將(jiang)突(tu)破2億(yi)元。自主研發的(de)(de)國產(chan)高端8/12英寸(cun)晶圓減(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)薄(bo)(bo)機實(shi)現(xian)(xian)了批量(liang)(liang)化(hua)應(ying)用(yong)，已有20多臺(tai)不(bu)同型號設備(bei)用(yong)于集成電(dian)路材料加工(gong)、芯(xin)片制造、先(xian)進封裝(zhuang)等工(gong)藝段的(de)(de)產(chan)品(pin)(pin)量(liang)(liang)產(chan)；將(jiang)快速形成年(nian)產(chan)100臺(tai)減(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)薄(bo)(bo)機的(de)(de)交付(fu)能(neng)力。此外，還將(jiang)陸續推出12英寸(cun)減(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)薄(bo)(bo)拋光一體機的(de)(de)產(chan)業(ye)化(hua)機型和8英寸(cun)SiC減(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)(jian)薄(bo)(bo)研磨(mo)（CMP）機。

       (4)深圳市夢啟半導體裝備有限公司

      深(shen)圳夢啟成立于2021年(nian)，是經深(shen)交所(suo)主(zhu)(zhu)板上(shang)市公司(si)長(chang)盈(ying)精(jing)(jing)密(mi)投資控股的子公司(si)。主(zhu)(zhu)要業(ye)務為芯片研磨設備(bei)(bei)和空氣軸承，包括全(quan)(quan)自(zi)動高(gao)精(jing)(jing)密(mi)晶圓減(jian)薄(bo)機、高(gao)精(jing)(jing)密(mi)拋光機、全(quan)(quan)自(zi)動高(gao)精(jing)(jing)密(mi)倒角機等硬脆材料的加工(gong)裝(zhuang)備(bei)(bei)、以及(ji)高(gao)精(jing)(jing)度氣浮主(zhu)(zhu)軸部件系(xi)列產品的研發、生產和銷(xiao)售。

      公司具(ju)備(bei)打破(po)國外(wai)技(ji)術壟斷(duan)并替代國外(wai)設備(bei)的能力，目前正(zheng)在開發第三代半導體材料SiC研磨成套設備(bei)，以及新一代藍寶石芯片研磨成套設備(bei)。

      2.CMP拋光設備

      (1)華海清科股份有限公司

      華海清(qing)科公司成(cheng)立(li)于2013年4月，主(zhu)要業務(wu)有CMP設(she)備(bei)、減薄設(she)備(bei)、晶圓再生、關鍵(jian)耗材與維保(bao)服務(wu)等。主(zhu)要產品及服務(wu)已廣泛應用于集(ji)成(cheng)電路、先進封裝、大硅片、第(di)三代半導體、MEMS、Micro LED等制造工藝。

      公(gong)司(si)的(de)CMP設備(bei)是目前國(guo)內(nei)唯一可以(yi)量產(chan)(chan)12英寸商(shang)業級的(de)CMP機臺(tai)，產(chan)(chan)品已在各大國(guo)內(nei)主流晶(jing)(jing)圓廠(chang)產(chan)(chan)線(xian)產(chan)(chan)業化應用，打破海外巨頭在該(gai)領域的(de)壟(long)斷(duan)地位。華(hua)創證券(quan)根(gen)據(ju)公(gong)司(si)財報披露數據(ju)測算，2018-2021年公(gong)司(si)在中國(guo)大陸地區(qu)的(de)CMP設備(bei)市場占(zhan)(zhan)有(you)率約為(wei)1.05%、6.12%、12.64%和22.7%。2021年以(yi)來(lai)，隨著國(guo)內(nei)晶(jing)(jing)圓廠(chang)加速擴產(chan)(chan)，國(guo)產(chan)(chan)設備(bei)替代逐步升(sheng)溫，公(gong)司(si)抓住市場機遇持續提升(sheng)國(guo)內(nei)市場占(zhan)(zhan)有(you)率，2023年度(du)凈利潤7.27億(yi)元，同比(bi)增長(chang)44.99%。

      (2)北京特思(si)迪(di)半導(dao)體設備有(you)限公司

      特(te)思(si)迪(di)成立于2020年(nian)3月，2022年(nian)初(chu)華為哈勃投資持(chi)有特(te)思(si)迪(di)10%的(de)股權，2023年(nian)10月完成B輪融資。公司深耕半導(dao)(dao)體襯底材料、晶圓(yuan)制造(zao)、半導(dao)(dao)體器件、先進(jin)封裝(zhuang)、MEMS等領域的(de)超精(jing)密平(ping)面加工技術，可提供減薄、拋光、CMP的(de)系統(tong)解決方案和工藝設(she)備。

      公司在2022年推出了(le)可兼容6英(ying)寸(cun)(cun)和8英(ying)寸(cun)(cun)的全自(zi)動(dong)減薄機，SiC襯底磨(mo)拋(pao)設(she)備的銷(xiao)售額取得了(le)300%YoY的增長(chang)。2023年公司進(jin)一(yi)步(bu)推進(jin)6英(ying)寸(cun)(cun)和8英(ying)寸(cun)(cun)設(she)備的同(tong)步(bu)發(fa)展；B輪融資的資金也主要投向8英(ying)寸(cun)(cun)SiC磨(mo)拋(pao)工藝(yi)和設(she)備的研(yan)發(fa)，借此加快研(yan)發(fa)突破，助力8英(ying)寸(cun)(cun)SiC量產。

     公司應(ying)用于第三代半導體襯底材料、部分芯片等領域的產(chan)品(pin)已(yi)經實現批量銷售(shou)。拋光機(ji)、減薄機(ji)等設備已(yi)被天科(ke)合達、比亞迪、東莞天域、中電(dian)科(ke)13所、泰科(ke)天潤(run)等客戶(hu)所采用。

     (3)蘇州邁為科技股份有限公司

      邁(mai)為股份成立于2010年(nian)9月(yue)，2018年(nian)11月(yue)上市，面向(xiang)太陽能(neng)光伏、顯示、半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)三(san)大(da)行(xing)業，主要產(chan)品(pin)包括全自動太陽能(neng)電池(chi)絲(si)網印刷(shua)生產(chan)線、異質結高效電池(chi)制造(zao)整體(ti)(ti)(ti)解決(jue)方案、OLED柔性屏激(ji)(ji)光切割設(she)備(bei)、Mini/Micro LED晶圓設(she)備(bei)、半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)晶圓封裝(zhuang)設(she)備(bei)等(deng)。公司立足真空、激(ji)(ji)光、精密裝(zhuang)備(bei)三(san)大(da)關鍵技術平臺，致(zhi)力(li)成為泛半導(dao)(dao)體(ti)(ti)(ti)領域細(xi)分(fen)行(xing)業標桿(gan)。

      2021年(nian)起，邁(mai)(mai)為(wei)股(gu)份(fen)向華天科技(西安(an))有(you)限公(gong)(gong)司供應半(ban)導體(ti)晶(jing)圓(yuan)激(ji)光開槽(cao)設(she)(she)備(bei)，得益于(yu)激(ji)光能(neng)量(liang)(liang)控(kong)制(zhi)、槽(cao)型及切割深度(du)控(kong)制(zhi)等多項(xiang)技術優勢，設(she)(she)備(bei)已實現穩定可靠(kao)、行(xing)業領先的(de)量(liang)(liang)產表現。2024年(nian)1月(yue)邁(mai)(mai)為(wei)股(gu)份(fen)半(ban)導體(ti)晶(jing)圓(yuan)研拋(pao)(pao)一體(ti)設(she)(she)備(bei)順利發(fa)往國內(nei)頭部封測企業華天科技(江蘇)有(you)限公(gong)(gong)司，同步(bu)供應12英寸晶(jing)圓(yuan)減薄(bo)設(she)(she)備(bei)以及晶(jing)圓(yuan)激(ji)光開槽(cao)設(she)(she)備(bei)。公(gong)(gong)司自主研發(fa)的(de)國內(nei)首款(kuan)(干拋(pao)(pao)式)晶(jing)圓(yuan)研拋(pao)(pao)一體(ti)設(she)(she)備(bei)各項(xiang)性能(neng)指標達到(dao)預期，開啟客戶(hu)端產品(pin)驗證(zheng)。

     3.磨盤磨料

     (1)深圳中機新材料有限公司

      中機新材2018年(nian)開(kai)始(shi)研發貴硬SiC團聚金(jin)(jin)剛石；2021年(nian)正式成立公(gong)司并量產金(jin)(jin)剛磨石材料，成為國內首(shou)創研磨環(huan)節新方案(an)，可平替(ti)進(jin)口產品；2024年(nian)2月(yue)獲得A輪融資。

      公司(si)提供精密研磨(mo)(mo)、拋光系統(tong)的(de)應用綜(zong)合解(jie)決方案；擁(yong)有切割、減薄、粗磨(mo)(mo)、精磨(mo)(mo)、粗拋、精拋全工藝環節的(de)耗材產品，主(zhu)要磨(mo)(mo)拋材料有團(tuan)聚金(jin)剛石微(wei)粉、研磨(mo)(mo)拋光墊(dian)、金(jin)剛石線(xian)據、SiC減薄砂輪。

      公司首創的(de)(de)團(tuan)聚金(jin)(jin)剛石技術替(ti)代了傳統(tong)多(duo)(duo)晶和類(lei)多(duo)(duo)晶。傳統(tong)磨(mo)拋(pao)方案中，研(yan)磨(mo)液(ye)占SiC襯(chen)底原材料成(cheng)本(ben)(ben)的(de)(de)15.5%，傳統(tong)多(duo)(duo)晶和類(lei)多(duo)(duo)晶研(yan)磨(mo)成(cheng)本(ben)(ben)中高氯(lv)酸(suan)占總成(cheng)本(ben)(ben)的(de)(de)30%，并且高氯(lv)酸(suan)產生的(de)(de)環(huan)境污染時間(jian)長、范圍廣、難以(yi)根除。團(tuan)聚技術后替(ti)代多(duo)(duo)晶和類(lei)多(duo)(duo)晶后，生產過程環(huan)保(bao)(bao)的(de)(de)同時成(cheng)本(ben)(ben)得(de)以(yi)降低。在耗液(ye)量上，團(tuan)聚金(jin)(jin)剛石方案用(yong)(yong)量僅為3um單晶金(jin)(jin)剛石方案的(de)(de)20%，即使選(xuan)用(yong)(yong)昂(ang)貴的(de)(de)進口團(tuan)聚金(jin)(jin)剛石，6寸(cun)SiC襯(chen)底片加工也保(bao)(bao)有成(cheng)本(ben)(ben)優(you)勢。

     (2)中國機械工業集團有限公司下屬企業國機精工股份有限公司

      國機精工作為精密軸承、超硬材料制品領域的領軍企業，重點為國民經濟和國防建設提供軸承、工磨具等關(guan)鍵機(ji)械基礎件(jian)產品，成功開發出中國(guo)第一顆(ke)人造(zao)金(jin)剛石和立方氮化硼(peng)，是我(wo)國(guo)超硬產業之(zhi)源。

      公司超硬材料業務協同發展，實現全產業鏈覆蓋。超硬材料板塊的運營主體為三磨所、鄭州新亞和精工銳意子公司，三家公司分別負責板塊下金剛石材料及磨料磨具、復合(he)超硬(ying)材(cai)料和(he)超硬(ying)材(cai)料高端(duan)裝備(bei)業務，實現了從上游金剛(gang)石(shi)生產(chan)設備(bei)制(zhi)造、中(zhong)游金剛(gang)石(shi)原材(cai)料生產(chan)和(he)下游超硬(ying)制(zhi)品生產(chan)的全產(chan)業鏈覆蓋。

      三磨(mo)(mo)所在CVD法(fa)金(jin)剛石(shi)上持續投入，有(you)望(wang)實現半導體耗材領域國產替(ti)代。三磨(mo)(mo)所的劃(hua)片刀、減薄砂輪等(deng)產品憑借質(zhi)量和(he)性價比優勢(shi)，已經實現對(dui)華天科技、長電(dian)科技、通富(fu)微電(dian)等(deng)批量供貨。

     (3)西安易星新材料有限公司

      易星新材(cai)料是西安市政(zheng)府投資并重點扶持的半導體封裝產業(ye)鏈完備的核心(xin)耗材(cai)供應商，于2022-2023年完成(cheng)(cheng)SiC與(yu)Si減薄(bo)磨輪(lun)開發與(yu)穩(wen)定性驗(yan)證，是國內唯(wei)一一家(jia)成(cheng)(cheng)功(gong)實現(xian)SiC精密減薄(bo)研磨輪(lun)國產化的企業(ye)。

      公司(si)具備(bei)西(xi)安交(jiao)通大學(xue)、陜西(xi)科技(ji)大學(xue)團隊背景，長期致力于(yu)半導體基礎材(cai)料研究。公司(si)自(zi)主(zhu)開發數(shu)控多層布料增材(cai)制(zhi)造技(ji)術(shu)(shu)，實現粉體材(cai)料的(de)(de)(de)精(jing)準設計與調(diao)控，開發結合(he)劑，實現了磨輪(lun)減薄的(de)(de)(de)持(chi)續性、穩定性。解決金剛(gang)石與結合(he)劑界面合(he)理(li)結合(he)的(de)(de)(de)行業技(ji)術(shu)(shu)難題，形成金剛(gang)石“脫落-出露(lu)”的(de)(de)(de)動(dong)態平衡，保證(zheng)優(you)良的(de)(de)(de)減薄加工品質(zhi)(zhi)，精(jing)磨輪(lun)質(zhi)(zhi)量(liang)通過設備(bei)廠商(shang)測試驗證(zheng)。