日前，第三屆中歐第三代半導體高峰論(lun)壇(tan)在深圳舉行。與會(hui)專家(jia)學者認為，第(di)三代半(ban)(ban)導體未(wei)來應(ying)用潛力巨大，具(ju)備變革性的(de)突(tu)破(po)力量，是半(ban)(ban)導體以(yi)及下(xia)游電力電子、通訊等(deng)行業新一(yi)輪變革的(de)突(tu)破(po)口。

　　2018年，美國、歐盟等持續加大第三代半導體領域研發支持力度，國際廠商積極、務實推進，商業化的碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子器(qi)件新(xin)品(pin)不斷推出，性(xing)能日(ri)益提(ti)升(sheng)，應用逐漸廣泛。受益于整個半(ban)導體行業(ye)宏觀(guan)政(zheng)策利好、資本市(shi)場(chang)追捧(peng)、地方積極推進(jin)、企業(ye)廣泛進(jin)入等積極因素，國(guo)內第(di)三(san)代(dai)半(ban)導體產業(ye)穩步(bu)發展(zhan)。但是，在材料指標、器(qi)件性(xing)能等方面與國(guo)外先進(jin)水平(ping)仍存在一定差距，國(guo)產化需求迫切。

　　“無論(lun)是從模(mo)塊安全(quan)還是從中國經(jing)濟發展(zhan)形(xing)勢看(kan)，第(di)(di)三代半(ban)導體都(dou)擁有(you)巨(ju)大發展(zhan)空間和良好(hao)市(shi)場(chang)前(qian)景(jing)，催生了上萬億元的潛在市(shi)場(chang)。”深圳市(shi)科學技(ji)術(shu)協會黨(dang)組書記林(lin)祥認為(wei)(wei)，第(di)(di)三代半(ban)導體是全(quan)球半(ban)導體產(chan)業技(ji)術(shu)創新和產(chan)業發展(zhan)熱點，為(wei)(wei)信息(xi)、能源(yuan)、交通模(mo)塊等戰略(lve)性(xing)新興產(chan)業發展(zhan)提供了重要支撐。近年來，隨著材料(liao)、器件、工藝和應(ying)用方面一系(xi)列技(ji)術(shu)創新和突(tu)破(po)，第(di)(di)三代半(ban)導體走到(dao)了從研(yan)發到(dao)產(chan)業的拐點上。

　　“只要(yao)有用電的地方就會用到(dao)(dao)半導(dao)(dao)體。”國家新(xin)能(neng)源(yuan)汽車(che)(che)技術(shu)創新(xin)中(zhong)(zhong)心車(che)(che)規(gui)半導(dao)(dao)體業務負責人(ren)文宇指出，發展(zhan)新(xin)能(neng)源(yuan)汽車(che)(che)是我(wo)國汽車(che)(che)產業轉型的必由之路，同時還將構(gou)建(jian)汽車(che)(che)新(xin)的產業生態鏈。未來，汽車(che)(che)半導(dao)(dao)體將成為全球(qiu)半導(dao)(dao)體市場最大(da)驅動力。其中(zhong)(zhong)，碳化硅在新(xin)能(neng)源(yuan)汽車(che)(che)領域的應(ying)用前景隨著技術(shu)發展(zhan)將得到(dao)(dao)很大(da)的提升。

　　“碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)的(de)各(ge)種特性(xing)都比硅(gui)要好，做(zuo)成器(qi)件有高頻(pin)、高效、高溫優勢，未來(lai)會在白色家電、軌道交通、醫療設備等領(ling)域(yu)得到廣泛應(ying)用。”深(shen)圳(zhen)基(ji)本(ben)半(ban)導(dao)體有限(xian)公司總經理和(he)(he)巍巍介紹(shao)說，相關(guan)數據顯示，2018年整個碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)功率(lv)器(qi)件的(de)市場容量(liang)為5億(yi)美元(yuan)，未來(lai)市場容量(liang)年化(hua)復合增長率(lv)將超過30%。就國(guo)內(nei)碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)發展現狀來(lai)看(kan)，在第三(san)代半(ban)導(dao)體材料方(fang)面(mian)一直緊跟(gen)國(guo)際(ji)前(qian)(qian)沿，可提供襯底和(he)(he)外延產業(ye)化(hua)。在汽車應(ying)用領(ling)域(yu)設計(ji)和(he)(he)制造方(fang)面(mian)，我國(guo)與國(guo)際(ji)先進水平還有一定差距，有幾所大學可以制造器(qi)件樣品、三(san)四家公司可以量(liang)產二極管(guan)，但(dan)目前(qian)(qian)只有基(ji)本(ben)半(ban)導(dao)體可以量(liang)產碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)MOSFET，希(xi)望鑄(zhu)造碳(tan)(tan)(tan)化(hua)硅(gui)的(de)中國(guo)“芯”。