中興被美國切斷核心部件、軟件和技術供應一事，引發社會對中國芯片行業的熱切關注。

　　產(chan)(chan)(chan)業(ye)研究(jiu)分析機(ji)構集(ji)邦科技（TrendForce）4月19日指出，中國存(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯片(pian)(pian)產(chan)(chan)(chan)業(ye)目前以投(tou)入(ru)NAND Flash市場的長(chang)江存(cun)(cun)儲(chu)(chu)、專注于(yu)(yu)移動存(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯片(pian)(pian)的合肥長(chang)鑫以及致(zhi)力于(yu)(yu)普通存(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯片(pian)(pian)的晉(jin)華(hua)集(ji)成三(san)大企業(ye)為主。以目前三(san)家廠商的進(jin)度來看，試產(chan)(chan)(chan)時間預(yu)(yu)計將在2018年(nian)下半(ban)年(nian)，量(liang)產(chan)(chan)(chan)時間可能都在2019年(nian)上(shang)半(ban)年(nian)，這預(yu)(yu)示著2019年(nian)將成為中國存(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯片(pian)(pian)生產(chan)(chan)(chan)元年(nian)。

　　集邦科技旗下的存儲芯片研究機構DRAMeXchange表示，從這三大企業目前布局進度來看，合肥長鑫的廠房已于去年6月封頂完工，去年第三

　　季開始搬入測試用機臺。合肥長鑫目前進度與晉華集成大致相同，計劃將在今年第三季試產，量產則暫定在2019年上半年，進程比預期延后。此外，由于合肥長鑫直接進攻三大DRAM廠（三星、SK海力士和美光）最重要產品之一的LPDDR4 8Gb，后續面臨專利爭議的可能性較高，為避免這一狀況，除了積極積累專利之外，初期可能將鎖定在中國市場銷售。

　　反觀專注于普(pu)通存儲(chu)芯(xin)(xin)片(pian)的晉華集成，在(zai)2016年(nian)(nian)7月宣(xuan)布在(zai)福建省晉江市建設12英寸晶元(yuan)廠，投資金額(e)約53億美元(yuan)，以目前進度(du)來(lai)看，其普(pu)通存儲(chu)芯(xin)(xin)片(pian)的試產(chan)延后至今年(nian)(nian)第三季度(du)，計劃在(zai)明年(nian)(nian)上半年(nian)(nian)量產(chan)。

　　此(ci)外，從中(zhong)國廠商NAND Flash的發展進程來看，2016年12月底，由長江存儲主(zhu)導的國家存儲器基地正式(shi)動(dong)工(gong)，計劃(hua)分三(san)個階段，共建三(san)座

　　3D-NAND Flash廠房。第(di)一階段(duan)的(de)廠房已去年9月完成(cheng)建設，預(yu)計(ji)2018年第(di)三季度開始搬入機(ji)臺，第(di)四季進行試(shi)產，初(chu)期投片量不超(chao)過1萬片，用于(yu)生(sheng)產32層(ceng)3D-NAND Flash產品，并預(yu)計(ji)在自家(jia)的(de)64層(ceng)技術成(cheng)熟后，再視情況擬定第(di)二、第(di)三期的(de)生(sheng)產計(ji)劃(hua)。

　　DRAMeXchange指出，觀察中(zhong)國(guo)存(cun)儲芯片廠商的(de)(de)研發與產出計劃，2019年(nian)將是中(zhong)國(guo)存(cun)儲芯片產業的(de)(de)生產元年(nian)，但也由于(yu)兩家DRAM廠預估初期量產規模(mo)并不(bu)大(da)，短期難(nan)以撼動全球市場現有格局。無論(lun)是DRAM還是NAND產品，各家都是初試啼(ti)聲，相比耕耘(yun)多(duo)(duo)年(nian)的(de)(de)存(cun)儲芯片大(da)廠面臨更多(duo)(duo)挑戰，因此也不(bu)排除中(zhong)國(guo)存(cun)儲芯片廠量產時間比預期延后的(de)(de)可能性。

　　長期來(lai)(lai)看(kan)，隨著中國存儲(chu)芯片(pian)產(chan)品逐(zhu)步成(cheng)熟，預計2020-2021年(nian)兩家DRAM廠(chang)商現有(you)(you)工(gong)廠(chang)將(jiang)逐(zhu)步滿(man)產(chan)，在最樂觀的預估下，屆時兩家合計約有(you)(you)每(mei)月25萬片(pian)的投(tou)片(pian)規模，可能(neng)將(jiang)開始影響(xiang)全球DRAM市場的供給(gei)。另一(yi)方面(mian)，長江存儲(chu)計劃設有(you)(you)三(san)座廠(chang)房，總產(chan)能(neng)可能(neng)高達每(mei)月30萬片(pian)，不排(pai)除長江存儲(chu)完成(cheng)64層(ceng)產(chan)品開發(fa)后，可能(neng)將(jiang)進行大規模的投(tou)產(chan)，進而在未來(lai)(lai)三(san)到五(wu)年(nian)對(dui)NAND Flash的供給(gei)產(chan)生(sheng)重大影響(xiang)。