市調機構 Yole Developpement 指出，包括分立式半導體、模塊和IC在內的功率組件市場規模預估2012年將達到(dao)200億美元。這些產(chan)品可(ke)滿足新(xin)興的混合動力車應用，以及從太陽(yang)能逆變器(qi)到(dao)照明、加熱器(qi)等多種應用，產(chan)品范圍(wei)從幾伏(fu)特到(dao)數(shu)千伏(fu)特都(dou)包(bao)含在內。

　　Yole 的分析師認為，中高壓市場中的 IGBT 產值約為16億美元。超接面(Superjunction) MOSFET 正在朝更高度開關頻率的方向發展，預估2012年市場規模為5.67億美元。
　　而性能可超越傳統硅組件的新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shu)，則(ze)由于過于昂貴，因此(ci)仍處在早期(qi)部署(shu)階(jie)段(duan)。

　　不過，Yole表示，這些材料將會對LED照明應用領域帶來影響，而且目前也已經有一些制造商表示考慮選用這些材料了。
　　“GaN和(he)SiC還未成熟到足以應(ying)用在功率(lv)電子市場中：首先，這類產品要(yao)求改善制造技(ji)術，特(te)別(bie)是(shi)在磊晶(jing)厚度方面(mian)；其次(ci)是(shi)材料仍然相當昂貴(gui)，因此很難走進一般(ban)消費應(ying)用領域，Yole表(biao)示(shi)。