申請號: 201710803582.0

申請日: 2017.09.08

國家/省(sheng)市(shi):中國武漢(han)(83)

公開號: 107513698A

公開日: 2017.12.26

主分類號:C23C 16/32(2006.01)

分類號: C23C 16/32(2006.01); C23C 16/48(2006.01)

申請人: 武漢理工大學

發明人: 涂溶(rong); 徐青(qing)芳; 章嵩; 張聯盟

代理人: 崔友明 李欣榮

代理(li)機構:湖北武漢(han)永嘉專利代理(li)有限(xian)公司(42102)

申請人地(di)址:湖(hu)北省武漢市(shi)洪山區珞獅(shi)路(lu)122號

摘要： 本發明公開了一種立方碳化硅涂層的制備方法，包括如下步驟：(1)將石墨基板放入冷壁式激光化學氣相沉積裝置的基板座上，抽真空，使壓強降10Pa以下；(2)通入H2作為稀釋氣體；(3)打開激光照射石墨基板表面，通過調節激光功率，使石墨快速升溫；(4)通入含有前驅體六甲基二硅烷(HMDS)的載流氣并調節反應室真空度至2500～4500Pa，保持10～30分鐘；(5)關閉激光、HMDS及稀釋氣，抽真空并自然冷卻至室溫。本發明沉積所得薄膜為立方碳化硅(β?SiC)薄(bo)膜，且不同的沉積(ji)條件下(xia)，可形成不同微觀形貌(mao)的β?SiC薄(bo)膜，可實現石墨(mo)材料表面潤濕性的可控調節，適合(he)推廣應用。

主權利要求

1.一(yi)種(zhong)立(li)方碳化硅涂層的(de)(de)制備方法(fa)，其特征在于(yu)，包(bao)括以(yi)下(xia)步驟(zou)：1)將石墨(mo)基(ji)板(ban)放入冷(leng)壁式激(ji)(ji)光(guang)化學氣相(xiang)沉(chen)積裝置的(de)(de)基(ji)板(ban)座(zuo)上，抽真空(kong)使壓強(qiang)降(jiang)到10Pa以(yi)下(xia)；2)通入稀釋氣；3)打開(kai)激(ji)(ji)光(guang)照(zhao)射石墨(mo)基(ji)板(ban)表面，調節激(ji)(ji)光(guang)功率，使石墨(mo)基(ji)板(ban)升溫至(zhi)(zhi)沉(chen)積溫度并保溫；4)打開(kai)含HMDS的(de)(de)載(zai)流氣；5)調節反應室內(nei)壓強(qiang)至(zhi)(zhi)沉(chen)積壓強(qiang)，保持進行沉(chen)積反應；6)關閉(bi)激(ji)(ji)光(guang)、含有(you)HMDS的(de)(de)載(zai)流氣和稀釋氣體(ti)，抽真空(kong)至(zhi)(zhi)1～10Pa，并自然冷(leng)卻至(zhi)(zhi)室溫，即在石墨(mo)基(ji)板(ban)上沉(chen)積得(de)立(li)方碳化硅涂層。