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MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設備的β-SiC薄膜

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MOCVD法在Si襯底上沉積用于NSOM設備的β-SiC薄膜

作者:SangHunNam,MyoungHwaKim,JinHyoBoo摘(zhai)要:利(li)用(yong)金屬(shu)有機化學氣相(xiang)沉(chen)積法在(zai)真(zhen)空(2.0×10?-6托)和不(bu)同溫度范(fan)圍(7

日期 2016-04-14   

LED設備:關鍵設備依賴進口 MOCVD并非不可逾越

LED產業(ye)從材料設(she)備(bei)、外延片(pian)生長、芯片(pian)制造到封裝及應用的(de)整個產業(ye)鏈中,設(she)備(bei)再一次成為制約(yue)行業(ye)發展的(de)薄弱環節(jie)。業(ye)內專家表(biao)示,中國LED產業(ye)要(yao)想健康快速(su)發展,一定要(yao)在(zai)關(guan)鍵(jian)設(she)...

日期 2010-05-08   
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中國人造金剛石誕生60周年

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