晶圓代工大廠近期動態頻頻，牽動晶圓代工版圖變動。世界先進公開表示，正式進軍12英寸晶圓代工，并再度開啟下個30年的技術策略轉型之路，碳化硅領域也收入發展版圖；印度首座12英寸晶圓廠已啟動(dong)，目前印度政府已經批準了(le)五(wu)座價值約180億美元(yuan)的半導體工廠(chang)建設(she)案；此外由臺積電(dian)建設(she)的全球(qiu)首(shou)座2nm晶圓(yuan)廠(chang)，本(ben)月末(mo)將完工。行業多方表示，AI相關需求未(wei)來還(huan)將迸(beng)發更(geng)大(da)潛力，臺積電(dian)的盈利還(huan)將進一步(bu)水(shui)漲船(chuan)高。

       世界先進：進軍12英寸晶圓代工，五年后年營收來到1000億元新臺幣

       11月2日，世界(jie)先(xian)進董事長暨策略(lve)(lve)長方略(lve)(lve)表示，世界(jie)先(xian)進今年(nian)正式踏入(ru)12英(ying)寸(cun)晶(jing)圓(yuan)代工(gong)并建新廠(chang)(chang)，公司與外(wai)界(jie)都對計劃充滿信心，盼五年(nian)后新廠(chang)(chang)滿載生產將(jiang)使年(nian)營(ying)收從500億(yi)(yi)元(yuan)新臺幣(bi)來到1000億(yi)(yi)元(yuan)新臺幣(bi)。方略(lve)(lve)強調，公司年(nian)中時(shi)候(hou)公布和恩智浦合作投資(zi)78億(yi)(yi)美元(yuan)建設一座12英(ying)寸(cun)晶(jing)圓(yuan)廠(chang)(chang)，其中臺積電將(jiang)提供所有需要的重(zhong)要技(ji)術和資(zi)源。

       公(gong)開資(zi)料(liao)顯示，6月(yue)5日，世(shi)界(jie)先(xian)進(jin)和恩(en)智(zhi)浦半導體共(gong)同宣布(bu)，計劃在(zai)新(xin)加坡共(gong)同成立(li)一(yi)家制造(zao)合(he)資(zi)公(gong)司(si)(si)VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC），興建一(yi)座(zuo)12英寸晶(jing)圓廠(chang)。資(zi)金(jin)投入(ru)方面，該晶(jing)圓廠(chang)投資(zi)金(jin)額共(gong)計78億(yi)美元(yuan)(yuan)(yuan)，世(shi)界(jie)先(xian)進(jin)將(jiang)(jiang)注資(zi)24億(yi)美元(yuan)(yuan)(yuan)，并(bing)持(chi)有60%股權(quan)，恩(en)智(zhi)浦半導體將(jiang)(jiang)注資(zi)16億(yi)美元(yuan)(yuan)(yuan)，持(chi)有40%股權(quan)，該晶(jing)圓廠(chang)將(jiang)(jiang)由世(shi)界(jie)先(xian)進(jin)公(gong)司(si)(si)營(ying)運。另外(wai)，雙方承諾將(jiang)(jiang)投入(ru)共(gong)19億(yi)美元(yuan)(yuan)(yuan)的(de)長期產(chan)能保證金(jin)及使用費(fei)，剩余(yu)資(zi)金(jin)（包括借款(kuan)）將(jiang)(jiang)由其他(ta)單位提供。

       此座晶(jing)圓(yuan)廠將(jiang)(jiang)采用(yong)130nm至(zhi)40nm的技術(shu)，生產(chan)(chan)包括混合信號、電源管理和模擬產(chan)(chan)品，面(mian)向汽車、工(gong)業、消費性電子及移動終端(duan)等市場，相關技術(shu)授權及技術(shu)轉移預計(ji)將(jiang)(jiang)來自臺積電。VSMC將(jiang)(jiang)在(zai)獲得相關監管機關核準后，于2024年(nian)(nian)下半年(nian)(nian)開始(shi)興建(jian)首(shou)(shou)座晶(jing)圓(yuan)廠，并預計(ji)于2027年(nian)(nian)開始(shi)量產(chan)(chan)。2029年(nian)(nian)，該(gai)晶(jing)圓(yuan)廠月(yue)產(chan)(chan)能預計(ji)將(jiang)(jiang)達5.5萬(wan)片12英寸晶(jing)圓(yuan)，將(jiang)(jiang)在(zai)新加坡創造(zao)約(yue)1500個工(gong)作機會。同時，在(zai)首(shou)(shou)座晶(jing)圓(yuan)廠成功量產(chan)(chan)后，合作雙方(fang)將(jiang)(jiang)考慮建(jian)造(zao)第二(er)座晶(jing)圓(yuan)廠。

       公開資料(liao)顯示，世(shi)界先(xian)進創辦(ban)人(ren)張(zhang)忠謀在(zai)2004年(nian)，決定(ding)該廠(chang)(chang)(chang)策略轉型(xing)從DRAM轉作(zuo)晶圓(yuan)代(dai)工(gong)，至今該廠(chang)(chang)(chang)持續獲利(li)。目(mu)前世(shi)界先(xian)進擁有五(wu)座(zuo)8英(ying)寸(cun)晶圓(yuan)廠(chang)(chang)(chang)，分別位(wei)于中國(guo)臺灣地區、新加坡。其中，共(gong)三座(zuo)8英(ying)寸(cun)廠(chang)(chang)(chang)位(wei)于新竹，一座(zuo)8英(ying)寸(cun)廠(chang)(chang)(chang)位(wei)于桃園(yuan)。2023年(nian)平(ping)均月(yue)產能(neng)約27.9萬片8英(ying)寸(cun)晶圓(yuan)。

       近兩年，世界先進再(zai)度開啟了下(xia)一個30年的技術策(ce)略(lve)轉型之路，其在互補(bu)式(shi)金屬氧化(hua)物半(ban)導體（CMOS）、BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）、電源(yuan)管理、 分(fen)離式(shi)元件（Discrete）等(deng)領域(yu)，均成為晶圓代工關鍵供應廠。

       今(jin)年9月，世界(jie)先進與漢磊共同宣布(bu)簽(qian)訂戰(zhan)略(lve)合作協議，將攜手合作推動化(hua)合物(wu)半(ban)導(dao)體碳(tan)化(hua)硅（SiC）八英寸晶(jing)圓(yuan)的技術研發與生產(chan)制造；世界(jie)先進投(tou)資24.8億元新臺幣，參與漢磊私募普通(tong)股認購，以(yi)共同推動具競爭優勢的產(chan)品制造服務，創(chuang)建雙方的長期(qi)戰(zhan)略(lve)合作關系。從之(zhi)可看出(chu)，第(di)三代化(hua)合物(wu)半(ban)導(dao)體也(ye)已納入世界(jie)先進的發展版圖中。

       印度首座12英寸晶圓廠啟動

       11月1日，晶(jing)(jing)圓(yuan)代(dai)工大廠(chang)力積(ji)(ji)電宣布(bu)，其與印(yin)度(du)塔(ta)塔(ta)集(ji)團(tuan)（Tata Electronics）合作建設(she)印(yin)度(du)首座12英(ying)寸(cun)晶(jing)(jing)圓(yuan)廠(chang)計劃正式(shi)啟(qi)動，力積(ji)(ji)電已收到塔(ta)塔(ta)集(ji)團(tuan)支付的Fab IP第一(yi)期款(kuan)項，新(xin)廠(chang)建設(she)計劃將積(ji)(ji)極推進。同時，通過客戶(hu)驗證的高容值中介(jie)層（Interposer）也將量產(chan)交貨。

       公開資(zi)(zi)料顯示(shi)，9月27日，力積(ji)電(dian)與印(yin)度塔(ta)(ta)塔(ta)(ta)集團旗下塔(ta)(ta)塔(ta)(ta)電(dian)子于(yu)新德(de)里簽訂了雙方(fang)合作最(zui)終協(xie)議，力積(ji)電(dian)將(jiang)(jiang)提供技術(shu)授權(quan)（而非(fei)投資(zi)(zi)），協(xie)助塔(ta)(ta)塔(ta)(ta)電(dian)子在(zai)印(yin)度古吉(ji)拉特邦(bang)（Gujarat）多雷拉（Dholera）建設印(yin)度首(shou)座12英(ying)(ying)寸晶圓廠(chang)，并轉(zhuan)移(yi)成熟(shu)制程技術(shu)以及(ji)培訓印(yin)度員工。根據(ju)雙方(fang)協(xie)議，這座12英(ying)(ying)寸晶圓廠(chang)總投資(zi)(zi)額將(jiang)(jiang)達110億(yi)美(mei)元，月產能5萬片，計(ji)劃(hua)于(yu)2026年完成12英(ying)(ying)寸晶圓廠(chang)的建設并投入量產，有(you)望為當地創(chuang)造超過(guo)2萬個(ge)高科技工作機(ji)會。

       據了(le)解，該12英寸(cun)晶圓廠(chang)(chang)主要采用力(li)積電的(de)(de)成熟制程技(ji)術，計劃生產電源管理、面(mian)板驅動(dong)芯片及微控制器、高速運算(suan)邏(luo)輯芯片等(deng)，主要面(mian)向(xiang)車(che)用、運算(suan)與數據存儲、無線(xian)通(tong)信及人(ren)工智能(neng)等(deng)終端應用市場。所(suo)需(xu)的(de)(de)110億美(mei)元投(tou)資將主要來自(zi)于塔(ta)塔(ta)集團和印度政府，力(li)積電提(ti)供制程技(ji)術、建廠(chang)(chang)及產線(xian)營運經驗等(deng)（需(xu)要塔(ta)塔(ta)集團支(zhi)付Fab IP相關(guan)費用），待該晶圓廠(chang)(chang)運營上(shang)軌道后(hou)，會(hui)逐(zhu)步淡出合作(zuo)設立的(de)(de)晶圓廠(chang)(chang)，后(hou)續可能(neng)僅以持股(gu)模式存在。

       力(li)積電還(huan)透露(lu)，由于(yu)國(guo)際大型科技公(gong)司積極建置AI算力(li)，公(gong)司定(ding)制化的(de)高容值(zhi)中(zhong)介層在通過客戶驗(yan)證(zheng)后已(yi)進入備貨(huo)階段，將于(yu)今(jin)年(nian)底(di)開始(shi)(shi)量產(chan)出貨(huo)。力(li)積電近年(nian)大力(li)發(fa)展的(de)Wafer on Wafer晶圓堆(dui)疊技術，也獲得(de)大型合作伙伴認(ren)同，已(yi)開始(shi)(shi)投入量產(chan)四(si)層DRAM晶圓堆(dui)疊產(chan)品(pin)，將于(yu)明(ming)年(nian)運交給客戶進行(xing)生產(chan)驗(yan)證(zheng)，以配合下游(you)客戶未來在Edge AI應用(yong)的(de)營銷規劃。

       據悉，印度已(yi)經吸引了恩(en)智浦、美(mei)光、泛林集團(tuan)、力積(ji)電、高塔半導(dao)體、英偉(wei)達、AMD、以(yi)及應用材料(liao)等國際半導(dao)體廠(chang)(chang)(chang)商的投資目光。具體在芯片制造領域(yu)，印度政府已(yi)經批準了五座價值約180億美(mei)元的半導(dao)體工廠(chang)(chang)(chang)建設項目，主要涉(she)及晶圓(yuan)代工廠(chang)(chang)(chang)和封測廠(chang)(chang)(chang)。

       全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工

       據供應鏈最新消息，臺積(ji)電(dian)位于(yu)高雄P1廠首座2nm晶圓廠即將完(wan)工，臺積(ji)電(dian)計(ji)劃于(yu)11月26日(ri)邀請多方合作(zuo)伙伴、行業專家及媒體共同參加進機典禮，該廠的設(she)備安裝工作(zuo)將于(yu)12月1日(ri)正(zheng)式展開。

       ;臺積電(dian)(dian)方面表示(shi)，高雄(xiong)晶(jing)圓廠項目自2021年(nian)11月正式宣布以來，一(yi)直(zhi)按計劃順利推(tui)進(jin)。該(gai)廠于2022年(nian)開工，目前建(jian)設進(jin)度(du)良好，并已完成(cheng)了必要的(de)公共基(ji)礎設施建(jian)設。臺積電(dian)(dian)強調，其高雄(xiong)P1廠的(de)建(jian)設和投產(chan)是公司(si)在(zai)全(quan)球半導體產(chan)業(ye)布局中的(de)重要一(yi)環，旨在(zai)進(jin)一(yi)步鞏固其在(zai)先進(jin)制程技術領(ling)域的(de)領(ling)先地位。

       在技術(shu)研發(fa)上，臺積(ji)電強調其2nm制(zhi)程(cheng)技術(shu)研發(fa)進(jin)展順利，效能和良率均(jun)按(an)計劃實現，甚至部分(fen)表現優(you)于預期(qi)，2nm制(zhi)程(cheng)將如期(qi)在2025年(nian)進(jin)入量產(chan)，量產(chan)曲(qu)線(xian)預計與3nm相似。

       消(xiao)息(xi)人士稱(cheng)，臺積電2nm制(zhi)造業(ye)務(wu)將在(zai)新竹科學(xue)園區(qu)（HSP）寶山F20廠區(qu)和高雄楠梓(zi)F22廠區(qu)進行。寶山廠預計年(nian)底(di)實現(xian)小規模試(shi)產(chan)線（mini line）完(wan)工，將于(yu)2025年(nian)第(di)四季度(du)開(kai)始生產(chan)，月產(chan)能(neng)約(yue)為(wei)3萬片晶(jing)圓(yuan)；高雄F22廠將于(yu)2026年(nian)第(di)一季度(du)開(kai)始商(shang)業(ye)化生產(chan)，月產(chan)能(neng)為(wei)3萬片晶(jing)圓(yuan)。

       臺積電董事長兼(jian)首席(xi)執行官(guan)魏哲(zhe)家(jia)曾表示，2nm工(gong)藝(yi)的市場需(xu)求空前(qian)高漲。目前(qian)，2nm制程(cheng)的計劃產能已(yi)經超過(guo)了之前(qian)的3nm制程(cheng)，這充(chong)分說明了市場對先(xian)進制程(cheng)技術的強烈需(xu)求。魏哲(zhe)家(jia)還透露(lu)，臺積電已(yi)經向(xiang)客戶驗證了2nm產品的藍圖(tu)，并(bing)提供了高于3萬美元(yuan)的工(gong)藝(yi)報價。

       據臺積電(dian)近三年財報數(shu)據顯示(shi)，7nm及其以下營收占比越(yue)來越(yue)高(gao)，今年二、三季(ji)度(du)先(xian)進(jin)工藝(yi)占76%和(he)69%，成熟工藝(yi)占24%和(he)31%。隨著(zhu)先(xian)進(jin)制程占比不斷增(zeng)加(jia)的還有利潤率，三季(ji)度(du)營業(ye)凈(jing)利率47.5%，二季(ji)度(du)則為42.5%，這在所(suo)有芯片代工企業(ye)中實(shi)屬(shu)罕見(jian)。

       而從應用端(duan)看，今年牽引臺(tai)積(ji)電業績增(zeng)長的主要是HPC高性能(neng)(neng)計算、手(shou)機(ji)、物聯網(wang)和(he)汽車等領(ling)域。其(qi)中智能(neng)(neng)手(shou)機(ji)、AI相關(guan)領(ling)域對5nm、3nm技術及(ji)更高性能(neng)(neng)制程需求強勁。行業多方表示，AI相關(guan)需求未來還(huan)將(jiang)迸(beng)發更大潛力，臺(tai)積(ji)電的盈利還(huan)將(jiang)進一步水漲船高。