金剛石類散熱封裝材料與器(qi)件(jian)研討會在許昌召開

為推動金剛石類散熱封(feng)裝材料與器件(jian)的技術創新與產業(ye)應(ying)用，7月25日(ri)，由許昌(chang)市工業(ye)和信息化局、科(ke)技局、許昌(chang)市投資(zi)集團...

通城聚焦三大產業集群，打造高端電子元器件生產基地和制造業強縣

4月16日(ri)，咸寧市政府新聞辦舉行“當(dang)好支點建設生(sheng)力(li)軍(jun)，加(jia)快打造武漢都市圈綠色發展重要增長極”系列主(zhu)題新聞發布會(hui)（...

西電張金風教授等在金剛石高壓功率器件(jian)領域取得重要進展

近日(ri)，西安(an)電子科技大學郝躍(yue)院士團隊(dui)張進成教授、張金風教授研究組(zu)在(zai)超寬禁帶半(ban)導體金剛石(shi)功率器件方(fang)向(xiang)取得重要(yao)進展。在(zai)國際知名期刊《IEEEElectronDeviceLet...

深入解析 GaN 器件金剛石近結散熱技術：鍵合、生長、鈍化生長

在(zai)追求更高功(gong)率密(mi)度(du)和更優(you)性能(neng)的(de)電子器件領域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的(de)性能(neng)而備受矚目。然而，隨(sui)著功(gong)率密(mi)度(du)的(de)不斷(duan)提升，器件內部的(de)熱積(ji)累(lei)問題(ti)日益嚴(yan)重，成為制約其發展(zhan)的(de)主...

第三代、第四代半導體襯底材料如何高效加工？器件散熱如何攻克？Carbontech半導體與加工主題論壇，上海見

金(jin)剛(gang)石(shi)半(ban)導體產(chan)業化(hua)在(zai)即(ji)金(jin)剛(gang)石(shi)半(ban)導體產(chan)業化(hua)在(zai)即(ji)！生長技術大幅(fu)度(du)提(ti)升(sheng)，金(jin)剛(gang)石(shi)從(cong)工業級(ji)-寶石(shi)級(ji)-熱學(xue)級(ji)-光學(xue)級(ji)-電子級(ji)，逐(zhu)步躍遷，同時價格(ge)下行，帶動應用端(duan)的嘗試(shi)。市場需求驅(qu)動...

打破近30年記錄！哈工大金剛石半導體器件(jian)重大突破

單(dan)片集成(cheng)互補邏輯電路與高速光互聯建立在無數金屬-半導體接觸基礎之(zhi)上，而低電阻(zu)且耐(nai)久的歐姆接觸是制約超(chao)寬禁帶半導體光電子(zi)器件性能與應用(yong)的一(yi)大因素(su)。近日，哈(ha)工大紅外(wai)薄膜(mo)與晶...

會議通知|2024半導體材料與電子元器件發展論壇

新能源車銷量不斷超預期 磁性元器件需求爆發

據乘聯會數(shu)據，2022年6月(yue)，新(xin)能(neng)源(yuan)乘用車國內零售銷量(liang)達到(dao)53.2萬(wan)輛，月(yue)零售銷量(liang)創新(xin)高(gao)，同比(bi)+131%，環比(bi)+48%，新(xin)能(neng)源(yuan)車國內零售滲透(tou)率27%，同比(bi)提升13pct...

鄭州大學金剛石光電材料與器件研究團隊榮獲“全國專業技術人才先進集體”稱號

11月3日(ri)，記者從河(he)南(nan)省人(ren)社廳獲悉，近(jin)日(ri)，第六(liu)屆全國杰出專業(ye)技術(shu)人(ren)才表彰會(hui)在京召開，河(he)南(nan)師范大(da)學常俊標(biao)教(jiao)授、河(he)南(nan)...

金剛石半導體器件的研究進展

摘要:金(jin)剛(gang)石因其(qi)優異的(de)物理化學特性,被視為下一代電(dian)力電(dian)子器(qi)件的(de)終極材料,金(jin)剛(gang)石半(ban)導(dao)體器(qi)件的(de)制備受到了科(ke)研工作者的(de)廣泛關(guan)注?文(wen)章對金(jin)剛(gang)石基二極管(guan)?開關(guan)器(qi)件和邊緣終止效應等...

補短板，電子元器(qi)件產業如何突破瓶頸？

閱讀提示眼下，我國(guo)已成(cheng)為全球電(dian)子(zi)元器(qi)件(jian)第一大生產國(guo)，但無論是技(ji)術水平還是產業(ye)(ye)化能力，與(yu)國(guo)際先進水平相比都存在較(jiao)大差距。如何補齊短板，成(cheng)為工信(xin)部和相關行業(ye)(ye)、企業(ye)(ye)共(gong)同面(mian)臨(lin)的...

工信部：電子元器件(jian)產業迎重磅政策支持

工業(ye)和信息化部日前(qian)召(zhao)開新聞發(fa)(fa)布會(hui)，記(ji)者從會(hui)上獲悉，工信部近日印發(fa)(fa)《基礎電子元器件(jian)產業(ye)發(fa)(fa)展行(xing)動計劃（2021—2023年）》（下稱《行(xing)動計劃》），將面向(xiang)智能終端、5G、工...

細數國外金剛石半導體材料和器件發展情況

以(yi)(yi)金(jin)剛石、氧化(hua)鎵(jia)、氮化(hua)鋁(lv)、氮化(hua)硼等為代表的超(chao)寬(kuan)禁(jin)帶半導體(ti)材料（禁(jin)帶寬(kuan)度＞4.5eV）的研(yan)究和應用，近年來(lai)不(bu)斷獲(huo)得技術(shu)的突破。這(zhe)類半導體(ti)材料具有更高的禁(jin)帶寬(kuan)度、熱導率(lv)以(yi)(yi)及...

國內手機市場不景氣出貨量暴跌20%：元器件廠商紛紛調整產能

自2017年底開(kai)始，全球手(shou)機(ji)市場(chang)就開(kai)始陷入出貨量同比下降的(de)旋窩，2018年全球智能手(shou)機(ji)市場(chang)依然維持了下降的(de)趨(qu)(qu)勢(shi)，且這種(zhong)趨(qu)(qu)勢(shi)至今依然還未緩解，試圖通過5G帶動手(shou)機(ji)市場(chang)銷量...

我國第三代半導體器件制備及評價技術取得突破

氮化(hua)鎵（GaN）和(he)碳(tan)化(hua)硅（SiC）為代表(biao)的第三代半導體(ti)材料，具(ju)備高擊(ji)穿電場、高熱導率、高電子飽和(he)速率及(ji)抗(kang)強(qiang)輻射(she)能力等優異性(xing)能，更(geng)適合于(yu)制作高溫、高頻、抗(kang)輻射(she)及(ji)大功率電子...

第五屆單晶金剛石及其電子器件(jian)國際研討會在西安召開

2018年6月(yue)9-12日，由陜(shan)西(xi)省(sheng)科學(xue)技術(shu)協會(hui)、西(xi)安(an)交(jiao)通大學(xue)和單(dan)晶金剛石及其電子器件(jian)泛太平洋(yang)國際(ji)研(yan)發與產(chan)業(ye)聯盟(meng)聯合主辦，陜(shan)西(xi)省(sheng)真空學(xue)會(hui)、西(xi)安(an)交(jiao)通大學(xue)寬禁帶半導體材料與器...

我國碳化硅器件(jian)制造關鍵裝備研發取得重大進展

以碳(tan)化(hua)硅（SiC）為代表(biao)的第三代半導體產業是全球戰(zhan)略(lve)競爭新的制高點。SiC器件具有極高的耐壓水平和能量密度，可有效(xiao)降(jiang)低(di)能量轉化(hua)損(sun)耗和裝置的體積重量，滿(man)足電力傳輸(shu)、機車索...

集成電路產業新突破 6英寸碳化硅器件生產線在京成功通線

2018年2月1日,北京(jing)市高精尖項目——6英(ying)寸碳(tan)化硅器件生產線在北京(jing)世紀(ji)金光半(ban)導體有(you)(you)限公司成功通線。這是一(yi)條具有(you)(you)...

單晶金剛石及電子器件國際論壇會議通知

單晶金剛石及(ji)電子器件國際論(lun)壇（SCDE2017）將于(yu)2017年(nian)6月10日(ri)-14日(ri)在西安舉辦(ban)。本(ben)論(lun)壇是(shi)一個為各(ge)層(ceng)次...

美國研發出金剛石/氮化硼晶體層可用于高功率器件(jian)

近日(ri)，北(bei)卡羅來納州立(li)大學的材(cai)料(liao)研(yan)究人員已經開發出一種(zhong)對新技(ji)術，將金剛石沉積在立(li)方體氮(dan)化硼表(biao)面（c-BN），結合成一個(ge)新的單晶體結構。“這種(zhong)材(cai)料(liao)可以用(yong)來制造大...