氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，具備高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。
      “十二五”期間，863計劃重點支持了“第三代半導體器件制備及評價技術”項目。近日，科技部高新司在北京組織召開項目驗收會。項目重點圍繞第三代半導體技術中的關鍵材料、關鍵器件以及關鍵工藝進行研究，開發出基于新型基板的第三代半導體器件封裝技術，滿足對應高性能封裝和低成本消費級封裝的需求，研制出高帶寬GaN發光器件及基于發光器件的可見光通信技術，并實現智能家居演示系統的試制；開展第三代半導體封裝和系統可靠性研究，形成相關標準或技術規范；制備出高性能SiC基GaN器件。通過項目的實施，我國在第三代半導體關鍵的SiC和GaN材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通訊等領域取得突破，自主發展出相關材料與器件的關鍵技術，有助于支撐我國在節能減排、現代信息工程、現代國防建設上的重大需求。
      “十三五”期間，為(wei)進一(yi)步推動我國材(cai)料(liao)領域科技(ji)創新和產(chan)業化發(fa)展，科技(ji)部制定(ding)了《“十三五”材(cai)料(liao)領域科技(ji)創新專項規劃》，將(jiang)“戰略(lve)先進電子(zi)材(cai)料(liao)”列為(wei)發(fa)展重(zhong)點(dian)之一(yi)，以第三代半(ban)導體材(cai)料(liao)與半(ban)導體照明、新型顯(xian)示為(wei)核(he)心，以大功率激光材(cai)料(liao)與器件(jian)、高端光電子(zi)與微(wei)電子(zi)材(cai)料(liao)為(wei)重(zhong)點(dian)，推動跨界技(ji)術整合，搶占先進電子(zi)材(cai)料(liao)技(ji)術的制高點(dian)