1 月 24 日消息，據財聯社報道，近日，被稱為“終極功率半導體”、使用金剛石的(de)(de)(de)電(dian)力控制用半導體的(de)(de)(de)開(kai)(kai)發(fa)取得進展。日本佐賀大學教(jiao)授嘉數教(jiao)授與精密零部件制造商日本 Orbray 合作開(kai)(kai)發(fa)出了(le)用金剛石制成的(de)(de)(de)功率半導體，并以 1 平(ping)方厘(li)米(mi) 875 兆瓦的(de)(de)(de)電(dian)力運(yun)行。

該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導體中也僅次于氮化鎵產品的約 2090 兆瓦。與作為新一代功率半導體的碳化硅（SiC）產品和氮化鎵（GaN）產品相比，金剛石半導體耐高電壓等性能出色，電力損耗被認為可減少到硅制產品的五萬分之一。

金剛石功率半導體的耐熱性和抗輻射性也很強，到 2050 年前后，有望成為人造衛星等所必需的構件。

金剛石材料具備載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強大等特性，是制造大功率、高溫、高頻器件的理想材料，由于它的帶隙寬、熱導率高、擊穿電場強、極高的電荷遷移率（CVD 金剛石的電子遷移率 > 75000px2/V.s），使得金剛石半導體器件能夠在高頻、高功率、高電壓以及強輻射等十分惡劣的環境中運行，被稱為“終極半導體材料”。

IT之家(jia)了(le)解(jie)到(dao)，全(quan)球天然金(jin)剛石年產(chan)量(liang)約為(wei) 1.5 億克拉(la)(la)，而人造(zao)金(jin)剛石產(chan)量(liang)則超(chao)過 200 億克拉(la)(la)，其中 95% 產(chan)量(liang)來(lai)自于(yu)中國大陸。