半導體行業從誕生至今，經過近六十年的發展先后經歷了三次明顯的換代和發展。其中，第三代半導體材料主要分為碳化硅SiC和(he)氮化鎵GaN，相(xiang)比于第一(yi)、二代半導體，其具有更高的(de)禁帶(dai)寬度、高擊穿電(dian)壓、電(dian)導率和(he)熱(re)導率。

近年來，隨著5G通信、新能源汽車、光伏等行(xing)業(ye)的快速發展(zhan)，我(wo)國(guo)半導體行(xing)業(ye)的發展(zhan)迎(ying)來關鍵節(jie)點和重大機遇，第三代半導體需求面(mian)臨劇增的局面(mian)。

國內廠商技術優勢凸顯 優質賽道競爭格局清晰

目前，從第(di)三代半導(dao)體材料呈現(xian)的(de)競爭格(ge)局來看，整體輪廓展現(xian)出日益清晰的(de)局面。在國(guo)外，以美國(guo)的(de)Cree和(he)II-VI公司為主，在國(guo)內，有山東天(tian)岳(yue)，天(tian)科(ke)合達(da)、河北同光等。

碳(tan)化硅(gui)(gui)襯底材料分半絕緣(yuan)型(xing)和導電(dian)型(xing)。半絕緣(yuan)型(xing)碳(tan)化硅(gui)(gui)電(dian)阻(zu)率高，工藝窗口窄，主要(yao)(yao)應(ying)用于(yu)雷達和5G通信領域的射頻器件。導電(dian)型(xing)碳(tan)化硅(gui)(gui)電(dian)阻(zu)率低，主要(yao)(yao)應(ying)用于(yu)電(dian)力電(dian)子(zi)的功率器件。

山東(dong)天岳(yue)自成立(li)以(yi)來(lai)一直(zhi)在半導(dao)體領(ling)域里潛心探索(suo)。公(gong)開資料顯示，山東(dong)天岳(yue)成立(li)于2010年，主(zhu)要(yao)從事碳(tan)化硅(gui)襯(chen)底的研(yan)發(fa)、生產(chan)和銷售。目前，公(gong)司主(zhu)要(yao)產(chan)品覆蓋半絕緣型(xing)（4英(ying)寸(cun)為主(zhu)）和導(dao)電型(xing)（6英(ying)寸(cun)為主(zhu)）碳(tan)化硅(gui)襯(chen)底，已(yi)供(gong)應至國(guo)內碳(tan)化硅(gui)半導(dao)體行業的下游核(he)心客戶(hu)，同(tong)時已(yi)被部分國(guo)外頂尖的半導(dao)體公(gong)司使用。

下游應用領域場景廣闊 未來行業發展空間巨大

碳化硅由于自身(shen)特性，下(xia)游應用領域(yu)場景和領域(yu)十(shi)分廣泛(fan)，這無(wu)疑會(hui)為身(shen)處其中(zhong)的企業(ye)帶來增長(chang)的機會(hui)，并拓展(zhan)行業(ye)發展(zhan)的寬度和廣度。

碳(tan)化(hua)硅可(ke)廣泛應用(yong)(yong)于新(xin)(xin)(xin)能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)(che)、5G 通(tong)訊、光伏發(fa)電(dian)(dian)(dian)、軌(gui)道交通(tong)、智能(neng)(neng)電(dian)(dian)(dian)網、航(hang)空航(hang)天(tian)等(deng)(deng)現代(dai)工業(ye)領域。在新(xin)(xin)(xin)能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)(che)領域，碳(tan)化(hua)硅功(gong)率(lv)(lv)器(qi)件主(zhu)要應用(yong)(yong)在電(dian)(dian)(dian)機驅動系(xi)統、車(che)(che)載充電(dian)(dian)(dian)、電(dian)(dian)(dian)源轉換系(xi)統等(deng)(deng)多個關鍵系(xi)統中，比(bi)如特斯(si)拉的(de)Model 3車(che)(che)型上(shang)使用(yong)(yong)了24個碳(tan)化(hua)硅MOSFET功(gong)率(lv)(lv)模塊的(de)逆變(bian)器(qi)。隨(sui)著(zhu)5G、新(xin)(xin)(xin)能(neng)(neng)源汽(qi)車(che)(che)、光伏發(fa)電(dian)(dian)(dian)、航(hang)空航(hang)天(tian)等(deng)(deng)戰(zhan)略(lve)新(xin)(xin)(xin)興產(chan)業(ye)迅速發(fa)展，以及(ji)巨大的(de)潛在市場需求增(zeng)長、火熱的(de)投資(zi)環境以及(ji)政策驅動，我國SIC產(chan)業(ye)發(fa)展明顯進一步(bu)迎(ying)來戰(zhan)略(lve)機遇期。