賽迪顧問股份有限公司、新材料產業研究中心近日發布的《2020“新基建”風口下第三代半導體應(ying)用發(fa)展(zhan)與(yu)投資價(jia)值白皮書》認為，在5G、新能源汽車(che)、綠色照(zhao)明、快充等新興領(ling)域蓬勃發(fa)展(zhan)及(ji)國家政(zheng)策大力扶持的雙(shuang)重驅動力下，我(wo)國第三(san)代(dai)(dai)半導(dao)體(ti)襯(chen)底材(cai)料和半導(dao)體(ti)器件(jian)市場(chang)(chang)繼續保持高速增(zeng)(zeng)長。預計未來3年中國第三(san)代(dai)(dai)半導(dao)體(ti)襯(chen)底材(cai)料市場(chang)(chang)規(gui)模(mo)仍將保持20%以上的平均增(zeng)(zeng)長速度，到(dao)2022年將達到(dao)15.21億(yi)元(yuan)；第三(san)代(dai)(dai)半導(dao)體(ti)器件(jian)市場(chang)(chang)規(gui)模(mo)將達到(dao)608.21億(yi)元(yuan)，增(zeng)(zeng)長率達到(dao)78.4%。

　　數(shu)據顯示，2019年，我國第三代半導(dao)(dao)體(ti)襯底材料市場(chang)規模(mo)達到7.86億元(yuan)(yuan)，同(tong)比(bi)增長(chang)31.7%；第三代半導(dao)(dao)體(ti)器件(jian)市場(chang)規模(mo)達到86.29億元(yuan)(yuan)，增長(chang)率達到99.7%。

　　白(bai)皮書(shu)認為，“新(xin)基(ji)建”一(yi)端連接(jie)著(zhu)不斷升級的消費(fei)市場，另(ling)一(yi)端連接(jie)著(zhu)飛(fei)速發展(zhan)的科(ke)技創新(xin)。其中，5G基(ji)建、新(xin)能源汽(qi)車充(chong)電(dian)樁(zhuang)、特高壓及(ji)軌道交(jiao)(jiao)通四大領域的關(guan)(guan)鍵核心(xin)都(dou)與第三代(dai)半導(dao)體(ti)技術的發展(zhan)息(xi)息(xi)相(xiang)關(guan)(guan)：以(yi)(yi)GaN為核心(xin)的射頻半導(dao)體(ti)，支撐(cheng)著(zhu)5G基(ji)站建設；以(yi)(yi)SiC為核心(xin)的功(gong)率半導(dao)體(ti)，支撐(cheng)著(zhu)新(xin)能源汽(qi)車充(chong)電(dian)樁(zhuang)、特高壓以(yi)(yi)及(ji)軌道交(jiao)(jiao)通系統的建設。未來(lai)，以(yi)(yi)GaN和SiC為首(shou)的第三代(dai)半導(dao)體(ti)將成(cheng)為支持“新(xin)基(ji)建”的核心(xin)材(cai)料(liao)。

　　目前，我(wo)國對于第三代半導(dao)體(ti)材料的(de)投資(zi)熱情勢頭(tou)不(bu)減。賽迪顧(gu)問整理統計，2019年共17個增產（含新建(jian)和擴(kuo)產）項目（2018年6個），已披露(lu)的(de)投資(zi)擴(kuo)產金(jin)額(e)達到265.8億元(yuan)（不(bu)含光電），較2018年同比增長60%。其中(zhong)2019年SiC領(ling)(ling)域投資(zi)事件14起，涉及金(jin)額(e)220.8億元(yuan)。GaN領(ling)(ling)域投資(zi)事件3起，涉及金(jin)額(e)45億元(yuan)。在“新基建(jian)”的(de)引領(ling)(ling)下，第三代半導(dao)體(ti)產業將(jiang)成為(wei)未(wei)來半導(dao)體(ti)產業發展的(de)重要引擎。

　　白皮書認為(wei)，國內半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)企業應當把握“新(xin)基建”帶來的(de)新(xin)機遇。我國第三代半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)處于成長期，仍需要大規模資金投入、政策扶持，加(jia)大GaN、SiC的(de)大尺(chi)寸單晶(jing)襯底的(de)研(yan)發(fa)。此外，大尺(chi)寸單晶(jing)襯底的(de)量產有助(zhu)于降(jiang)低器(qi)件成本、提高化(hua)合物半(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)市(shi)場滲透率(lv)。