前言：這兩(liang)天多人問(wen)我(wo)“我(wo)國的硅片產(chan)(chan)能已經(jing)如此之(zhi)大(da)，為什(shen)么(me)大(da)企業(ye)還瘋(feng)狂擴產(chan)(chan)？難道連(lian)我(wo)們都看到的產(chan)(chan)能過(guo)剩(sheng)，那些(xie)大(da)企業(ye)的決(jue)策者看不到？”

　　我曾經也有類似的疑惑，后來發現：擴產的背后，是新技術迭代的推動！

　　新增產能，都是采用新技術，以更便宜的價格，生產出更優質的產品，在市場更具有競爭力。如果自己不上采用新技術的產能，那舊產能的產品無市場競爭力，就會被其他企業革命；與其等別人革命，還不如自我革命！

　　之前，我們只聽說單晶硅、多晶硅；現在，市場涌現一大堆新名詞：perc、半片、MBB、MWT、疊瓦、雙面......

　　在新技術迭代大潮的裹挾下，上新技術的產能是必須的。我相信，這是大多數企業擴產能的根本原因。因此，作為技術迭代如此之快的高科技產業，光伏制造業必須保持較高的利潤率，否則將無資金支持如此快速的技術革新。

　　一、不同技術路線的主流功率及產能情況

　　2017年，已經成熟或即將成熟的幾項提升效率的技術分別為Perc技術、半片技術、MBB多主柵技術。理論上來講，這幾項技術都是兼容性技術，既可以使用在單晶硅片上，也可以應用在多晶硅片上，但疊加效果不同。

　　傳統普通多晶組件功率為270W，普通單晶組件功率為285W，功率差為15W；當各自疊加一系列新技術以后，功率差會進一步拉大。2018年各種技術路線的組件功率分布如表1所示。

　　1)添加劑黑硅

　　當前多晶應用金剛片以后，主要采用添加劑技術來解決反射率過高的問題，所以明年多晶組件的出貨的主要功率均為270~275W之間的產品，產能可以高達40GW以上。

　　2)濕法黑硅

　　干法黑硅技術路線儲備很久，但是成本下不來(每片成本＞0.3元)，干法黑硅這一技術路線很可能面臨淘汰的命運；保利協鑫主推的濕法黑硅技術隨著新一代TS+黑硅工藝的推出，成本大幅下降的同時性能又有所提升，主流功率應該在275W。今年黑硅設備擴張很快，各個廠家黑硅設備已經突破200臺，對應總產能超過16GW。

　　3)普通單晶組件

　　普通單晶組件的功率可達到285W，產能將達到30GW。

　　4)Perc電池技術

　　Perc電池技術是一種兼容性技術，既可以用在多晶硅片上，也可以用在單晶硅片上。單晶perc電池普遍功率提升在20W左右；而多晶硅片疊加Perc技術以后，則只能提升15W左右，而且目前還有衰減的問題沒有有效解決。因此新增Perc電池產能明顯青睞于選擇單晶硅片。

　　2018年，單晶perc組件產能將達到30GW；用黑硅技術處理后的多晶perc組件產能將達到5GW。

　　5)N型組件

　　2017年，N型組件的技術和產業化也得到了較大的進步。“N型+pert+半片”可使組件功率達到320W，2018年產能預計為2~3GW；“N型+疊瓦”可使組件功率達到330W以上，2018年產能預計為1GW以內；

　　6)小結

　　通過上述分析可以看到，半片、Perc、多主柵等技術疊加在單晶硅片上能帶來更加明顯的提升。當各自疊加一系列新技術以后，多晶組件功率可以做到300W，單晶組件功率會達到330W，疊加一系列新技術以后單、多晶組件的功率差會拉大到30W。

　　單晶硅片的產能在2017農歷年年底前就會達到38GW；半片、MBB多主柵等技術剛開始流行，產能遠小于單晶硅片產能。

　　鑒于新技術疊加效果更好，只要單、多晶硅片能保持合理價差，擁有最新最先進Perc、半片、多主柵產能的廠家會優先選用單晶硅片。而300W的多晶黑硅Perc+半片+多主柵組件可能只會存在于理論當中，現實中不會有廠家把一系列先進產能疊加于效果不佳的多晶硅片上。

　　二、新技術可以減少隱裂產生

　　隱裂之所以產生是由于：

　　1)生產、運輸、安裝、清洗、降冰雹等過程中對組件施加的不均勻外力。

　　2)組件正面光伏玻璃和背面背板采用不同材質，溫度系數不同，因此熱脹冷縮的過程中對電池片正反面產生不同應力。

　　3)電池片正面的銀漿焊帶處工作溫度低，電池片自身溫度不同導致隱裂。

　　單晶由于內部晶格序列一致，容易沿著某些特定方向產生連續、貫通式的裂紋，相較于多晶組件，單晶組件在生產、運輸、安裝的過程中產生隱裂的概率更高。

　　幾項新技術應用于單晶硅片上都有利于解決隱裂問題。

　　1)半片技術

　　半(ban)片(pian)(pian)(pian)(pian)技(ji)術是把(ba)電(dian)池片(pian)(pian)(pian)(pian)對(dui)(dui)切，把(ba)一(yi)張電(dian)池片(pian)(pian)(pian)(pian)一(yi)分為二然后進行封(feng)裝的(de)(de)技(ji)術。原先(xian)的(de)(de)60片(pian)(pian)(pian)(pian)組件(jian)實際上是封(feng)裝了120片(pian)(pian)(pian)(pian)“半(ban)片(pian)(pian)(pian)(pian)電(dian)池片(pian)(pian)(pian)(pian)”單(dan)(dan)元。由于單(dan)(dan)張電(dian)池片(pian)(pian)(pian)(pian)面積(ji)小了一(yi)半(ban)，單(dan)(dan)晶硅(gui)片(pian)(pian)(pian)(pian)容易產(chan)(chan)生(sheng)的(de)(de)貫穿式裂(lie)紋(wen)所波及(ji)的(de)(de)范圍也對(dui)(dui)應減(jian)(jian)少；組件(jian)產(chan)(chan)生(sheng)的(de)(de)變形時(shi)對(dui)(dui)于單(dan)(dan)張電(dian)池片(pian)(pian)(pian)(pian)的(de)(de)累(lei)積(ji)變形量也會減(jian)(jian)少。根據晶澳(ao)披露(lu)的(de)(de)數據，單(dan)(dan)晶半(ban)片(pian)(pian)(pian)(pian)組件(jian)在同等強度(du)的(de)(de)破壞(huai)力作用下，比常規組件(jian)的(de)(de)隱裂(lie)紋(wen)少15%左右。

　　2)雙玻技術

　　雙玻技術是正反面均采用玻璃封裝的組件封裝技術，由于正反面均采用玻璃材質，溫度變化所導致的熱脹冷縮的變化一致，被封裝在其中的電池片正反面的應力一致，能有效減少溫度變化所引發的隱裂。

　　3)MBB多主柵技術

　　現在常規(gui)(gui)電(dian)池片多(duo)采用4~5主(zhu)柵的(de)(de)(de)技(ji)術(shu)，而多(duo)主(zhu)柵技(ji)術(shu)使得單張電(dian)池片上的(de)(de)(de)主(zhu)柵數量達到(dao)12條(tiao)；與(yu)之(zhi)(zhi)相對應，單條(tiao)主(zhu)柵的(de)(de)(de)寬度(du)只有(you)常規(gui)(gui)電(dian)池片的(de)(de)(de)三分之(zhi)(zhi)一，柵線遮(zhe)擋不(bu)會使得柵線背面(mian)的(de)(de)(de)溫(wen)度(du)明顯偏(pian)低。電(dian)池片更(geng)均(jun)衡的(de)(de)(de)溫(wen)度(du)減少隱裂(lie)(lie)的(de)(de)(de)發生(sheng)。除(chu)此之(zhi)(zhi)外，多(duo)主(zhu)柵技(ji)術(shu)有(you)利于電(dian)池片上的(de)(de)(de)電(dian)流搜集，所(suo)以即便產(chan)生(sheng)細微隱裂(lie)(lie)，在多(duo)主(zhu)柵技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)幫助下，也(ye)不(bu)會明顯影響光伏(fu)電(dian)池效率。所(suo)以MBB多(duo)主(zhu)柵技(ji)術(shu)在降(jiang)低產(chan)生(sheng)隱裂(lie)(lie)幾率的(de)(de)(de)同時也(ye)提升電(dian)池片對隱裂(lie)(lie)發生(sheng)的(de)(de)(de)容忍度(du)。