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官方微信摘要 德國愛思強股份有限公司近日宣布，昭和電工（日本，秩父）在其現有愛思強設備基礎上，增購一套熱壁碳化硅化學氣相沉積行星式反應器。該化學氣相沉積(CVD)系統可同時處理10片100mm晶...
德國愛思強股份有限公司近日宣布，昭和電工（日本，秩父）在其現有愛思強設備基礎上，增購一套熱壁碳化硅化學氣相沉積行星式反應器。該化學氣相沉積(CVD)系(xi)統可同(tong)時處理(li)10片100mm晶圓或6片150mm晶圓，將被應用于針對一系(xi)列(lie)電力電子(zi)應用及(ji)元(yuan)件類型(xing)（例如太陽能發電模(mo)塊、交直流(liu)轉換及(ji)工(gong)業電機(ji)控制(zhi)的(de)逆變器系(xi)統）在碳化硅(SiC)基底上生長(chang)同(tong)質(zhi)外(wai)延材料。
通過新系統的應用，昭和電工將可提高現有直徑為100mm晶圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)產量(liang)，并(bing)可(ke)拓(tuo)展至更(geng)大直(zhi)徑的(de)(de)150mm碳化硅晶圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)生產，該(gai)種晶圓(yuan)(yuan)(yuan)目(mu)前已可(ke)從半導體材料供應(ying)商處購得(de)。實現對更(geng)大晶圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)生產將可(ke)在降低成本(ben)的(de)(de)同時提高市場接受(shou)度。
愛思強股份有限公司副總裁兼電力電子項目經理Frank Wischmeyer博士評(ping)價道：“愛思強系(xi)統(tong)的(de)設計是為(wei)了通過減少襯底邊緣(yuan)排除區(wafer edge exclusion zone)，提(ti)高(gao)更大(da)直徑基底的(de)單片晶圓(yuan)使用率，從(cong)而進一步推動規模經(jing)濟效益。碳化硅(gui)在(zai)這類應用的(de)魅(mei)力(li)源于其獨(du)特(te)的(de)材質，例(li)如高(gao)臨界電場強度，允(yun)許(xu)高(gao)擊穿(chuan)電壓以及低導(dao)通電阻(zu)。碳化硅(gui)在(zai)電力(li)應用方面的(de)更大(da)優勢在(zai)于其導(dao)熱(re)性高(gao)和耐熱(re)強度大(da)。”
愛思強為這套最先進的生產系統平臺開發出一個特別反應室，可承受碳化硅晶圓外延過程最高所需達到的1650°C高溫。在外延(yan)過程中，愛(ai)思強系統每批所(suo)處理的6片150 mm晶(jing)圓會各(ge)自進行“行星式”自轉，展(zhan)現(xian)技術最先進的均勻性(xing)和可重復性(xing)。
昭和電工之所以選擇愛思強熱壁碳化硅化學氣相沉積行星式系統，是為了借助愛思強在此方面的豐富經驗與專業技術，同時通過具成本效益的150mm碳化硅(gui)晶(jing)圓拓(tuo)展其業務范圍。該公司(si)看(kan)到碳化硅(gui)相(xiang)關產(chan)(chan)品在消費電(dian)子市場迅速產(chan)(chan)生的(de)機遇，以及其未來在鐵路動力(li)處理與自(zi)動化市場中的(de)廣(guang)闊前景。2008年底，昭(zhao)和(he)電(dian)工(gong)向Esicat – Japan LLP（日(ri)本產(chan)(chan)業技術綜合(he)研究(jiu)所(suo)(AIST)、日(ri)本電(dian)力(li)中央研究(jiu)所(suo)(CRIEPI)以及昭(zhao)和(he)電(dian)工(gong)的(de)一家合(he)資公司(si)）收(shou)購碳化硅(gui)外延晶(jing)片業務。
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