申請號: 201710562427.4

申請日: 2017.07.11

國家/省市(shi):中國深(shen)圳(94)

公開號: 107324809A

公開日: 2017.11.07

主分類號:C04B 35/565(2006.01)

分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 35/64(2006.01); C04B 38/00(2006.01)

申請人: 深圳市商德先進陶瓷股份有限公司

發明人: 黎海華; 向(xiang)其軍; 譚毅成

代理人: 潘霞

代理機(ji)構(gou):廣州華進聯合專利商標代理有限公司(44224)

申請(qing)人(ren)地址:廣東省深圳市寶(bao)安區沙井街(jie)道新二社區南嶺(ling)路(lu)21號B棟一樓、二樓

摘要：本發明涉及一種多孔碳化硅陶瓷及其制備方法和應用。該多孔碳化硅陶(tao)(tao)瓷(ci)的(de)(de)(de)制備(bei)方(fang)法包括(kuo)如下步驟：稱取原料(liao)，按照質量百分含量計，所述原料(liao)包括(kuo)如下組(zu)分：80％～95％的(de)(de)(de)碳(tan)化(hua)硅、2％～15％的(de)(de)(de)助燒劑(ji)和1％～15％的(de)(de)(de)添加劑(ji)，其中，添加劑(ji)選自鈦酸鋁、鋰輝石及(ji)鋰霞(xia)石中的(de)(de)(de)至(zhi)少一種；將原料(liao)混合形(xing)成(cheng)(cheng)混合料(liao)；將混合料(liao)成(cheng)(cheng)型形(xing)成(cheng)(cheng)生(sheng)坯(pi)，再將生(sheng)坯(pi)在1300℃～1550℃下燒結，得(de)到多(duo)孔碳(tan)化(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)。上述多(duo)孔碳(tan)化(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)的(de)(de)(de)制備(bei)方(fang)法制備(bei)到的(de)(de)(de)多(duo)孔碳(tan)化(hua)硅陶(tao)(tao)瓷(ci)兼具較高的(de)(de)(de)氣(qi)孔率(lv)高和較低(di)的(de)(de)(de)熱(re)膨脹系數。

主權利要求

1.一種多孔(kong)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)陶瓷的(de)制備(bei)方(fang)法，其特(te)征(zheng)在于，包(bao)括(kuo)如下(xia)步驟：稱取(qu)原料，按照質量(liang)百分(fen)含(han)量(liang)計，所(suo)述(shu)原料包(bao)括(kuo)如下(xia)組(zu)分(fen)：80％～95％的(de)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)、2％～15％的(de)助(zhu)燒劑(ji)(ji)和1％～15％的(de)添加(jia)劑(ji)(ji)，其中(zhong)，所(suo)述(shu)添加(jia)劑(ji)(ji)選(xuan)自鈦(tai)酸(suan)鋁、鋰輝石及鋰霞石中(zhong)的(de)至少一種；將(jiang)所(suo)述(shu)原料混合(he)形成(cheng)混合(he)料；及將(jiang)所(suo)述(shu)混合(he)料成(cheng)型形成(cheng)生坯，再將(jiang)所(suo)述(shu)生坯在1300℃～1550℃下(xia)燒結，得(de)到多孔(kong)碳(tan)化(hua)硅(gui)(gui)陶瓷。