申請號: 201310294766.0        申請日: 2013.07.12        國家/省市: 中國上海(31)
       公開號: 104276823A         公開日: 2015.01.14        主分類號: C04B 35/565(2006.01)
       分類號: C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01)
       申請人: 中國科學院上海硅酸鹽研究所

       發明人: 李寅生; 閆永杰; 黃政仁; 劉學建; 陳忠明
       代理人: 曹芳玲 鄭優麗
       代理機構: 上海瀚橋專利代理事務所（普通合伙）(31261)
       申請人地址: 上海市長寧區定西路1295號

       摘要： 本發明涉及一種高絕緣碳化硅/氮化硼陶瓷材料及其制備方法，所述陶瓷材料包括碳化硅、通過原位反應產生而均勻分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制備中作為燒結助劑的碳化硼和碳，其中按重量計，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量為0.5～10質量%，碳化硼的含量為0.2～2.0質量%，碳的含量為0.5～2.0質量%。本發明提供的高絕緣碳化硅/氮化硼陶瓷材料通過原位反應引入碳化硼相，且碳含量低，提高了碳化硅陶瓷的絕緣性能，并提高了材料的綜合性能。

       主權利要求 1.一種高絕緣碳化硅/氮化硼陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料包括碳化硅、通過原位反應產生而均勻分布在碳化硅晶界的氮化硼、以及在所述陶瓷材料的制備中作為燒結助劑的碳化硼和碳，其中按重量計，在所述陶瓷材料中，碳化硅的含量90重量%以上，氮化硼的含量為0.5～10質量%，碳化硼的含量為0.2～2.0質量%，碳的含量為0.5～2.0質量%