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碳化硅單晶的制造方法

關鍵詞 碳化硅單晶 , 制造方法|2011-06-23 15:11:35|行業專利|來源 中國磨料磨具網
摘要 名稱碳化硅單晶的制造方法公開號CN101120124公開日2008.02.06主分類號C30B29/36(2006.01)I分類號C30B29/36(2006.01)I;C23C1...
名稱  碳化硅單晶的制造方法
公開號  CN101120124 公開日  2008.02.06
主分類號  C30B29/36(2006.01)I 分類號  C30B29/36(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/42(
申請號  CN200680004816.5
分案原申請號   申請日  2006.05.23
頒證日   優先權  2005.6.7 JP 167326/2005
申請人  HOYA株式會社 地址  日本東京都
發明人  河原孝光;八木邦明;八田直記;長澤弘幸 國際申請  2006-05-23 PCT/JP2006/310225
國際公布  2006-12-14 WO2006/132082 日 進入國家日期  2007.08.14
專利代理機構  北京市柳沈律師事務所 代理人  張平元;趙仁臨
摘要  　　本發明提供一種碳化硅單晶的制造方法，在使碳化硅單晶在單晶基板上外延生長時，能夠減少在碳化硅單晶內產生的表面缺陷。該方法是在單晶基板(1)的表面使碳化硅單晶層外延生長的碳化硅單晶的制造方法，其中，在上述單晶基板(1)的表面，形成在與該基板表面(1)基本平行的一個方向上延伸的多個起伏(2)，且該起伏(2)在上述單晶基板的厚度方向上波動，并且，設置該起伏(2)，使得由伴隨著碳化硅單晶的外延生長而傳播的反相區域邊界面和/或雙晶帶形成的表面缺陷彼此會合。
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